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Transistors bipolaires, IGBT/IEGT

Introduction

Transistors bipolaires, IGBT/IEGT

Toshiba propose une large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, telles que les appareils RF (radiofréquence) et les blocs d'alimentation.

Un transistor de déclenchement renforcé par injection (IEGT, injection-enhanced gate transistor) est un dispositif commandé par tension utilisé pour la commutation de flux d'intensité importants. Les IEGT sont l'idéal pour les applications de commande moteur industrielles de l'infrastructure sociale d'aujourd'hui, notamment les systèmes de transmission et les convertisseurs de puissance industriels.

Gammes de produits

BRT (Bias Resistor Built-in Transistors)

Bipolaire
Transistors

Dispositifs multipuce séparés

FET de jonction


Bipolaires RF
Transistors

Support

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