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Gamme de MOSFET

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MOSFET 12 V - 300 V

Toshiba propose une gamme étendue de MOSFET VDSS basse à moyenne tension dans divers boîtiers allant des modèles miniaturisés à l'extrême pour les applications à petit signal aux boîtiers à capacité d'intensité élevée pour l'automobile. Toshiba a utilisé chaque génération successive de structures de grille isolée à tranchée et de procédés de fabrication pour réduire constamment de la résistance à l'état passant drain-source, RDS(ON), de ses MOSFET basse tension En outre, Toshiba n'a cessé d'optimiser les structures cellulaires des MOSFET afin d'améliorer les compromis entre la résistance à l'état passant drain-source et les caractéristiques de charge, qui sont des facteurs de mérite importants pour les MOSFET destinés aux applications de commutation.

Gammes de produits

Points forts

Nouvelle gamme U-MOSⅨ-H
La gamme U-MOSⅨ-H embarque un procédé de tranchée et des technologies de boîtier exceptionnels offrant des performances inégalées.

Nouvelle gamme U-MOSⅨ-H

Caractéristique

Pilotage basse tension et faible résistance à l'état passant
Tendances des boîtiers MOSFET 12 V - 300 V
Boîtier de refroidissement amélioré DSOP Advance
Boîtier offrant une faible résistance à l'état passant

Documents

Livre blanc
Désignation description Date de publication
Évolution des appareils prenant en charge l'électronique de puissance et
l'extension des technologies de chevauchement,
des circuits et des applications aux produits
8/2017

inscription utilisateur

Optimisation de la conception de l'alimentation grâce à l'efficience et à l'intégration des MOSFET 8/2017

inscription utilisateur

Outils électriques sans fil : Puissance de sortie élevée, autonomie accrue et boîtiers plus petits 9/2017

inscription utilisateur

Boîtier à refroidissement double face DSOP Advance : Innovation dans la conductance thermique des MOSFET de puissance 8/2017

inscription utilisateur

Note d'application
Désignation description Date de publication
Traite des directives de conception d'un circuit de commande de grille pour les applications de commutation à MOSFET et donne des exemples de circuits de commande de grille 11/2017

inscription utilisateur

Traite du déséquilibre de l'intensité sur les MOSFET parallèles et le mécanisme d'oscillation parasitaire. 11/2017

inscription utilisateur

Traite du mécanisme d'oscillation des MOSFET pour les applications de commutation. 11/2017

inscription utilisateur

Explique comment abaisser la température des puces des composants à semi-conducteurs séparés. 12/2017
Décrit les MOSFET de puissance planaires, à tranchée et Super-Junction 11/2016
Décrit les régimes assignés maximum absolus, l'impédance thermique et la zone de fonctionnement sécurisée des MOSFET de puissance 11/2016
Décrit les caractéristiques électriques indiquées dans les fiches techniques 11/2016
Décrit comment sélectionner des MOSFET de puissance, les caractéristiques de température, les effets des fils et des oscillations parasites, la tolérance à l'effet d'avalanche, les circuits d'amortissement, etc. 11/2016
Traite des circuits équivalents thermiques, donne des exemples de calcul de température de canal et les aspects à prendre en considération pour l'adjonction de dissipateurs thermiques 2/2017

Vidéo


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