MG600Q2YMS3

SiC MOSFETモジュール

データシート

MG600Q2YMS3 データシート/日本語[2023年02月]PDF: 690KB

データシート

MG600Q2YMS3 データシート/英語[2023年02月]PDF: 569KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2022年08月]ZIP: 104KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール 2-153A1A パッケージ アプリケーションノート 取り扱い方法[2023年09月]PDF: 1076KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュールの信頼性[2023年06月]PDF: 889KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュール アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの特性[2022年12月]PDF: 1964KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール アプリケーションノート ゲートドライブ[2022年08月]PDF: 1164KB

データシート

MG600Q2YMS3 データシート/日本語[2023年02月]PDF: 690KB

データシート

MG600Q2YMS3 データシート/英語[2023年02月]PDF: 569KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール 2-153A1A パッケージ アプリケーションノート 取り扱い方法[2023年09月]PDF: 1076KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュールの信頼性[2023年06月]PDF: 889KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュール アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの特性[2022年12月]PDF: 1964KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール アプリケーションノート ゲートドライブ[2022年08月]PDF: 1164KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2022年08月]ZIP: 104KB

製品概要

特長 オールSiC MOSFETタイプ
用途 大電力スイッチング用 (電力変換、モータ駆動)
回路構成 2in1
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 2-153A1A
実装区分 表面実装

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン電流 (DC) ID 600 A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS 1200 V
チャネル温度 Tch 150 ℃

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ドレイン・ソース間 オン電圧(センス端子) (Typ.) VDS(on)sense ID=600A
Tch=25℃
VGS=20V		 0.9 V
ソース・ドレイン間 オフ電圧(センス端子) (Typ.) VSD(off)sense IS=600A
Tch=25℃
VGS=-6V		 1.6 V
ターンオンスイッチング損失 (Typ.) Eon - 25 mJ
ターンオフスイッチング損失 (Typ.) Eoff - 28 mJ
逆回復損失 (Typ.) Err - 0.8 mJ
ご購入・サンプル請求のご案内
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オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2022年08月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

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