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フルブリッジ型AC-DC電源

フルブリッジ型AC-DC電源は、ハーフブリッジ型以上に高効率化が可能となり、特に大容量の電源(1kWクラス以上)に使用されます。この方式では高効率化のために高速スイッチングやダイオードの逆回復時間(trr)が短い製品が必要となります。この2つの特性を両立させたMOSFET製品をラインアップしています。

ブロック図

色つきのブロックをクリックすると、推奨製品がご覧いただけます。

フルブリッジ型AC-DC電源の回路例

ブロッキング用ダイオード PFC用MOSFET PFC制御IC メインスイッチ用MOSFET フォトカプラ ゲートドライバ 整流用MOSFET Oring用MOSFET

ドキュメント

ホワイトペーパー

Catalog
資料名 概要 発行年月
製品特長、従来品からの改善点 2017年9月
  • DTMOS応用(ノイズ改善)
ノイズ発生メカニズム解析、ノイズ改善手法紹介 coming soon

アプリケーションノート

Application note
資料名 概要 発行年月
ディスクリート半導体のシミュレーションによるチップ温度低減施策について説明します。 2018年1月
MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります。 この現象の発生要因とその対策について説明します。 2017年12月
アバランシェ現象のメカニズム、その定義、およびそれに対する対策について説明します。 2017年12月
ディスクリート半導体のチップ温度低減施策について説明します。 2017年12月
ディスクリート半導体の温度の算出方法について説明します。 2017年12月
MOSFET の安全動作領域の温度ディレーティング方法について説明します。 2017年12月
MOSFETのドレイン - ソース間に急激に上昇する電圧が印加されると、MOSFETが誤動作してオンする場合があり、そのメカニズムとその対策について説明します。 2017年12月
MOSFETをスイッチング用途として使用する場合の発振現象のメカニズムについて説明します。 2017年11月
MOSFET並列接続時の電流アンバランスと寄生発振のメカニズムについて説明します。 2017年11月
MOSFETをスイッチング用途で使用する際のゲート駆動回路設計の考え方、駆動回路例について説明します。 2017年11月
パワーMOSFETのプレーナー型、トレンチ型およびスーパージャンクション型について説明します。 2017年2月
パワーMOSFET の絶対最大定格項目および熱抵抗、安全動作領域について説明します。 2016年11月
データシート記載の各電気的特性について説明します。 2016年11月
パワーMOSFETの選び方、温度特性、配線の影響や寄生発振、アバランシェ耐量、スナバ回路等を説明します。 2016年11月
放熱等価回路・チャネル温度の計算例、放熱器を取り付ける場合の注意事項を説明します。 2016年11月

動画


  • 回路概要

    回路構成は複雑ですが、耐圧の低い素子が使用可能です。

    効率が高く300W以上の大容量量の電源に使用されています。

    貫通電流防止の為、Q1/Q2、Q3/Q4のON/OFF時にデッドタイムが必要です。


    1次側の回路はQ1~Q4、その寄生ダイオード、及びインダクタLにより構成され各タイミングにおける電流の流れは下図のようになります。

    タイミング 

    0~t1:Q1,Q3:ON    Q2,Q4:OFF

    t1~t2:Q1,Q3:OFF

    t2~t3:Q1,Q3:OFF    Q2,Q4:ON

    t3~t4:Q2,Q4:OFF


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  • 動作説明

    ① Q1/Q3 ON

    Q1/Q3がONしVsの電圧がトランスNpに電圧が印加されます。
    同時に、エネルギーは二次側巻線に移され、正極の電圧なので電流はD1, Lを流れ、Cを充電します。

    ② Q1/Q3 OFF

    Q1/Q3がOFFするとリアクトル LDに蓄積されたエネルギーにより、2次側の負荷電流が循環します。

    ③ Q2/Q4 ON

    Q2/Q4がONしVsの電圧がトランスNpに電圧が印加されます。
    同時に、エネルギーは二次側巻線に移されますが①の場合と逆極の電圧なので電流はD2, Lを流れ、Cを充電します。

    ④ Q2/Q4 OFF

    Q2/Q4がOFFするとリアクトル LDに蓄積されたエネルギーにより、2次側の負荷電流が循環します。

    出力電圧の近似式は以下のようになります。

    t(on):デッドタイムを除く1周期間の時間、
    T:1周期、 一次側巻線:Np、 二次側巻線:Ns Ns1=Ns2=Ns 、 Vs>>Vds , Vf

    VOUT=[Vs x (Ns/Np) ]x ( 2xt(ON)/T)



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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。