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パワーサプライ

1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバ用電源リファレンスデザイン

概要

高効率、小型化、高信頼性が求められるパワーサプライ市場に対して、当社はパワーMOSFETリリース以来、現在に至るまで数多くの市場で採用いただき、高い市場実績を築いてきました。市場要求に対して、最先端の技術レベルを展開し、新しい世代の高耐圧MOSFET「DTMOSシリーズ」、低耐圧MOSFET「U-MOSシリーズ」、新材料である「SiC」を開発・市場投入し、パワーサプライの省エネにさらに貢献しています。

電源別ブロック図

スイッチング電源

リニア電源

アプリケーション別電源

ドキュメント

ホワイトペーパー

Whitepaper
資料名 概要 発行年月
新パッケージの特長、シミュレーションによる動作解析 2017年9月
製品特長、従来品からの改善点 2017年9月
  • DTMOS応用(ノイズ改善)
ノイズ発生メカニズム解析、ノイズ改善手法紹介 coming soon

アプリケーションノート

Application note
資料名 概要 発行年月
ディスクリート半導体のシミュレーションによるチップ温度低減施策について説明します。 2018年1月
MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります。 この現象の発生要因とその対策について説明します。 2017年12月
アバランシェ現象のメカニズム、その定義、およびそれに対する対策について説明します。 2017年12月
ディスクリート半導体のチップ温度低減施策について説明します。 2017年12月
ディスクリート半導体の温度の算出方法について説明します。 2017年12月
MOSFET の安全動作領域の温度ディレーティング方法について説明します。 2017年12月
MOSFETのドレイン - ソース間に急激に上昇する電圧が印加されると、MOSFETが誤動作してオンする場合があり、そのメカニズムとその対策について説明します。 2017年12月
MOSFETをスイッチング用途として使用する場合の発振現象のメカニズムについて説明します。 2017年11月
MOSFET並列接続時の電流アンバランスと寄生発振のメカニズムについて説明します。 2017年11月
MOSFETをスイッチング用途で使用する際のゲート駆動回路設計の考え方、駆動回路例について説明します。 2017年11月
パワーMOSFETのプレーナー型、トレンチ型およびスーパージャンクション型について説明します。 2017年2月
パワーMOSFET の絶対最大定格項目および熱抵抗、安全動作領域について説明します。 2016年11月
データシート記載の各電気的特性について説明します。 2016年11月
パワーMOSFETの選び方、温度特性、配線の影響や寄生発振、アバランシェ耐量、スナバ回路等を説明します。 2016年11月
放熱等価回路・チャネル温度の計算例、放熱器を取り付ける場合の注意事項を説明します。 2016年11月

カタログ

Catalog
資料名 概要 発行年月
パワーMOSFET、小信号MOSFETのパッケージ別製品ラインアップを紹介します。 2017年9月
パワーMOSFET製品ラインアップを紹介します。 2016年3月

リファレンス・デザイン

Catalog
資料名 概要 発行年月
電源概要、設計者が参照可能なドキュメント、EDAツールで読み込み可能なデジタルファイル搭載素子概要 2017年10月

動画


ご検討の方に

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。