Contact us

別ウィンドウにて開きます 別ウィンドウにて開きます

第2世代650 V SiC SBDのDPAKパッケージ展開: TRS2P65F、他

製品情報 2017-11

これは、第2世代650 V SiC SBDのDPAKパッケージ展開: TRS2P65F、他の製品写真です。

「TRS2P65F」など全6品種は、第2世代シリコンカーバイドショットキバリアダイオード (SiC SBD) です。⾯実装タイプのDPAKパッケージを採用しています。
第2世代の新製品は、第1世代の製品と比べてサージ電流耐量 (IFSM) を約1.7倍に向上することにより破壊しにくく、効率性能指数 (VF·QC[注1]) を約2/3に小さくすることにより低損失を実現しました。電源の高効率化、小型化に貢献します。

[注1] VF·QC (順電圧と総電荷量の積) は、SiC SBDの損失性能を表す指数で、小さいほど低損失化が実現できます。

3つの特⻑

  • サージ電流耐量が高い (第1世代と比べて約1.7倍)
  • VF·QC[注1]が小さい (第1世代と比べて約2/3)
  • ⾯実装タイプのDPAKパッケージ採用

用途

  • 民生·OA機器用高効率電源
    (4K大型スクリーン用液晶TV、有機EL TV、プロジェクタ、複合複写機など)
  • 産業機器用高効率電源 (通信基地局、PCサーバなど)
  • 太陽光発電用マイクロインバータ

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25°C)

パッケージ 品番 絶対最大定格 電気的特性
直流
順電流
IF(DC)
(A)
非繰り返し
ピーク
順電流
IFSM
(A)
許容損失
Ptot
(W)
順電圧
VF
(V)
接合容量
Cj typ.
(pF)
総電荷量
QC typ.
(nC)
効率
性能指数
VF·QC
typ.
(V·nC)
- @正弦半波
t=10 ms
@TC=25°C @IF(DC) @VR=1 V @VR=
0.1~400 V
-
DPAK TRS2P65F 2 19 34.0 1.45
(typ.)

1.60
(max)
85 5.8 8.4
TRS3P65F 3 26 37.5 120 8.1 11.7
TRS4P65F 4 33 41.0 165 10.4 15.1
TRS6P65F 6 45 48.3 230 15.1 21.9
TRS8P65F 8 58 55.5 300 19.7 28.6
TRS10P65F 10 70 62.5 400 24.4 35.4

内部回路構成図

これは、第2世代650 V SiC SBDのDPAKパッケージ展開: TRS2P65F、他の内部回路構成図です。

応用回路例

これは、第2世代650 V SiC SBDのDPAKパッケージ展開: TRS2P65F、他の応用回路例です。

SiC SBDは、連続導通モード (Continuous Current Mode:CCM) のPFC部に使⽤されることが多くなっています。
Q1オフ状態で交流電⼒が⼊⼒された場合 (電源投⼊時など) ⼤きな電流がPFC⽤のダイオードに流れる可能性があります。
IFSMは商⽤周波でのサージ耐量で、製品を破壊させないための重要な項⽬です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

To Top
·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。