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低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET: SSM6K818R、SSM6K809R、SSM6K810R

製品情報 2019-03

これは、低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET: SSM6K818R、SSM6K809R、SSM6K810Rの製品写真です。

当社は、車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチや逆接保護に適したNチャネルMOSFET「SSM6K818R」「SSM6K809R」「SSM6K810R」の3品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。
新製品は、30 V/60 V/100 Vの3つの耐圧をラインアップしており、LEDの直列数に応じた点灯パターンへの対応が可能です。最新プロセス[注1]の採用により、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現しており、機器の低消費電力に貢献します。また、SSM6K809R、SSM6K810Rは、高ESD耐量製品となります。
TSOP6Fパッケージは、SOP-8パッケージと比べて実装面積を約70 %削減することが可能なため、機器の小型化に貢献できます。
AEC-Q101適合予定[注3]により、車載用途をはじめとして幅広い用途へ使用できます。

車載ヘッドランプ、ターンランプ、デイタイムランニングライトなどでは、低消費電力、長寿命かつ安全性向上の観点からLED化が進んでいます。LED化に伴い点灯パターンが細分化し、1灯から多灯へ変化しています。多灯化により1灯当たりの消費電力が低くなるため、新製品のような小型セミパワーMOSFET[注4]の需要が増加しています。

[注1] 2019年2月時点
[注2] TSOP6Fクラスパッケージ、同耐圧の製品において、当社調べ (2019年2月時点) によるものです。
[注3] 2019年2Q (CY)
[注4] 許容損失1 Wクラス製品

特⻑

  • 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗により消費電力を削減
      RDS(ON)=12.0 mΩ (max) @VGS=4.5 V (SSM6K818R)
  • TSOP6Fパッケージにより実装面積を削減 (SOP-8より実装面積約70 %削減)
  • AEC-Q101適合予定[注3]

用途

  • 車載機器 (ヘッドランプ、ターンランプ、デイタイムランニングライトなど)

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
@VGS=4.5 V
(mΩ)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
世代
名称 サイズ
typ.
(mm)
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ゲート·
ソース間
電圧
VGSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
許容損失
PD
(W)
SSM6K818R TSOP6F 2.9x2.8 30 ±20 15 1.5 12.0 1130 7.5 U-MOSIX-H
SSM6K809R[注5] 60 ±20 6 1.5 51 550 9.3 U-MOSVIII-H
SSM6K810R[注5] 100 ±20 3.5 1.5 92 430 3.2 U-MOSVIII-H

[注5] 高ESD耐量製品

端子配置図

これは、低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET: SSM6K818R、SSM6K809R、SSM6K810Rの端子配置図です。

応用回路例

これは、低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET: SSM6K818R、SSM6K809R、SSM6K810Rの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。