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60V耐圧 N-chパワーMOSFET
U-MOSIX-Hシリーズのラインアップ拡充

製品情報 2017-08

TO-220

「TK3R2E06PL」、「TK5R1E06PL」、「TK3R3A06PL」、「TK5R3A06PL」は、NチャネルパワーMOSFET「U-MOSⅨ-Hシリーズ」のTO-220とTO-220SISパッケージの60V耐圧製品です。
新製品はトレンチ構造の最新世代プロセスU-MOSⅨ-Hを採用したMOSFETチップをTO-220とTO-220SISパッケージへ搭載し、ラインアップを拡充しました。4.5Vロジックレベル駆動に対応しており、急速充電器、スイッチング電源、サーバや通信インフラ用のDC-DCコンバータなどに適しています。

3つの特⻑

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗:
      RDS(ON)=3.2 mΩ (max) @VGS=10 V (TK3R2E06PL)
  • 低出力電荷量
  • ロジックレベル駆動 (4.5 V) に対応

⽤途

  • 高効率DC-DCコンバータ
  • 高効率AC-DCコンバータ
  • スイッチング電源
  • モータドライブ

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25°C)

品番 極性 絶対最大定格 ドレイン·ソース間オン抵抗
RDS(ON) max
(mΩ)
ゲート入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
出力
電荷量
Qoss
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
パッケージ シリーズ
ドレイン·
ソース間電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流 (DC)
ID
@TC=25°C
(A)
@VGS
=10 V
@VGS
=4.5 V
TK3R2E06PL N-ch 60 100 3.2 4.7 71 66 5000 TO-220 U-MOSIX-H
TK5R1E06PL 70 5.1 8.8 36 32 2380
TK3R3A06PL 80 3.3 4.9 71 66 5000 TO-220SIS
TK5R3A06PL 56 5.3 9.3 36 32 2380

[注1] 同定格の製品において、東芝調べ (2017年6⽉時点) によるものです。

内部回路構成図

内部回路構成図

応⽤回路例

応⽤回路例

応⽤回路例

注:この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。