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モバイル機器向け高速インターフェース保護用マルチビットTVSダイオードの発売について

2017年3月31日

DFN5-DFN6

当社従来品に比べて保護性能向上と実装面積削減を実現
 

当社は、スマートフォン、ウェアラブルデバイス、タブレットPCなどのモバイル機器で使用するUSB Type-C™、HDMI™等の高速インターフェース回路を、静電気放電(ESD)やサージ電圧などから保護するマルチビットの低容量TVSダイオード (ESD保護ダイオード)の新製品4品種の出荷を本日から開始します。新製品は、当社従来品[注1]に比べて低ダイナミック抵抗、低クランプ電圧を実現すると共に、小型LGAパッケージ[注2]を採用し、実装面積を約30%削減しています。
 

スマートフォン、ウェアラブルデバイス、タブレットPC、ノートブックPC、各種OA機器、LCDパネルなど各種電子機器の小型化、高機能化に合わせて、それらに搭載される半導体部品も微細化が進んでいます。そのため、それらの部品をESDやサージなどから保護するESD保護用デバイスの重要性も高まってきています。また、USB Type-C™やHDMI™などの高速信号インターフェース保護用途として使う場合は、伝送信号の減衰を考慮し、低容量の製品が使用されます。

今回当社がラインアップに追加した新製品は、このような電子機器の高速インターフェース保護向けに特性や端子配置を工夫したTVSダイオードです。当社独自のEAP-IVプロセス[注3]の採用により低ダイナミック抵抗と低クランプ電圧を実現し、ESDやサージによる後段デバイスへの影響を当社従来品[注4]よりも低減し、保護性能を向上させます。また、当社従来品[注1]に比べて実装面積を約30%削減した小型LGAパッケージで、差動信号インターフェースの仕様に合わせて、3.3V信号ラインと5V信号ラインの2シリーズでそれぞれ4ビットと2ビットの2製品、合計4製品をそろえました。

新製品の主な仕様

品番

ビット VRWM
Max(V)

VESD
(kV) [注5]

VBR Min/Max
@IBR=1mA
(V)

RDYN Typ.
@8~16 A
(Ω) [注6]
VC Typ.
@16 A
(V) [注6]
Ct Typ.
@0V,
(pF)
パッケージ
DF5G5M4N 4ビット 3.6 ±20 4.0 / 6.0 0.8 22 0.2 DFN5
DF5G6M4N 4ビット 5.5 ±20 5.6 / 8.0 0.8 22 0.2
DF6D5M4N 2ビット 3.6 ±20 4.0 / 6.0 0.8 22 0.2 DFN6
DF6D6M4N 2ビット 5.5 ±20 5.6 / 8.0 0.8 22 0.2

[注1]当社1ビット製品

[注2]4ビット製品「DF5G5M4N」と「DF5G6M4N」の「DFN5」パッケージのサイズは1.3 × 0.8mm、2ビット製品「DF6D5M4N」と「DF6D6M4N 」の「DFN6」パッケージのサイズは1.25 × 1.0mm。

[注3]東芝のオリジナルプロセス:ESD Array Process IV

[注4]当社4ビット製品「DF5G7M2N」と比べてダイナミック抵抗を約20%低減しています。

[注5]IEC61000-4-2 (接触放電) 条件

[注6]TLPパラメータ: ZO=50Ω, tp=100ns, tr=300ps, averaging window t1=30ns to t2=60ns

*USB Type-CはUSB Implementers Forumの商標または登録商標です。
*HDMIはHDMI Licensing, LLCの商標または登録商標です。

新製品を含む東芝のTVSダイオード 製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/esd-protection-diode.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

小信号デバイス営業推進部

Tel: 03-3457-3411

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。