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HVDCに適したスイッチングデバイスPPI

HVDCに適したスイッチングデバイスPPI

 当社は、大容量・長距離送電の省電力化に適した高圧直流送電方式に適したIEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)素子を用いた圧接型IEGT(PPI)の製品化を行ってきた。トレンチ型構造で通電損失を低減、50hの運転継続能力を確認しただけでなく、防爆耐量も大幅に改善している。

  *「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

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