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適用分野が拡大する新材料パワーデバイスの進化

適用分野が拡大する新材料パワーデバイスの進化

 SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)などのワイドバンドギャップ半導体は,エネルギー効率で飛躍的な改善が見込めることから新しいパワーデバイス材料として期待されている。

東芝デバイス&ストレージ(株)は、SiCチップの薄ウエハー化とセル微細化を性能改善の要素技術として開発を進め,多様なSiCデバイスを製品化している。用途の一例としてハイパワーのSiCデバイスは,鉄道車両のインバーター装置に適用され,従来の装置からの大幅な小型・軽量化に貢献している。また,高速スイッチング用途で優れた性能を発揮するGaNデバイスでは,製品化の上で要求される疑似ノーマリーオフタイプとMOS(金属酸化膜半導体)タイプの素子開発を進めている。

 
*「東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)」特集1から転載

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