ショットキーバリアダイオード(SBD)に逆回復時間(trr)はありますか?

ショットキーバリアダイオードは原理的に逆回復時間はありません。ただし、寄生容量などによるわずかな逆回復時間があります。

pn接合ダイオードは順方向電圧印加時にp型半導体に少数キャリアーである電子が、n型半導体には正孔が流れ込むことでオンします。このように電子と正孔の両方が動作に寄与することからバイポーラーデバイスと言われます。これに対してショットキーバリアダイオード(SBD)、例えばn型半導体と金属のSBD、では、順方向電圧印加時に多数キャリアーが金属に流れ込みオンします。単一のキャリアーのみが動作に寄与することからユニポーラーデバイスと呼ばれます。
バイポーラーデバイスではオフするために逆バイアスを印加してもすぐにはオフしません。これは拡散により侵入した多数の少数キャリアーが行き場を失い、元のn型(p型)に戻る、または再結合により消滅するのに時間がかかるためです。この間を逆回復時間と呼び、逆電流が流れます。ショットキーバリアダイオードの場合、n型半導体(またはp型半導体)の少数キャリアーは動作に寄与しません。このため逆回復時間が存在しません。ただし、金属と半導体の異種の物質を接合することから、表面リークが大きくなります。このリークを減少させるために、pn接合を用いることがあります。また、これに加えて寄生容量を持つことから、pn接合ダイオードに比較すると微小ですが逆回復時間を持つことがあります。

図-1 順方向バイアス印加時のダイオードの状態
図-1 順方向バイアス印加時のダイオードの状態
図-2 SiC SBD vs pn接合ダイオードTurn Off比較
図-2 SiC SBD vs pn接合ダイオードTurn Off比較

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