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IGBTゲートプリドライバ

光結合絶縁素子内蔵 IGBTゲートプリドライバコントロ-ルIC TB9150FNG

信号系 (一次側) と駆動系 (二次側) の通信にフォトカプラを内蔵することにより、電気的に分離、高絶縁耐圧を実現しています。また、IGBT高精度温度検出機能、 フライバックコントローラ、短絡検出機能 (電流センス、*DESAT ) を内蔵しており、システムの小型化に貢献します。

*DESAT: desaturationの略

製品紹介

  • IGBT駆動ゲート用プリドライバ( IGBT 2個並列接続可能)
  • 絶縁素子内蔵 (光結合方式)
  • ミラークランプ機能、ソフトターンオフ機能
  • 短絡電流検出機能 (電流センス、DESAT)
  • 過電流検出機能
  • 電源電圧低下検出 (1次側、2次側) 機能
  • IGBT過熱検出機能
  • 高精度IGBT温度検出機能 (測定精度: ±3°C (max))
  • フライバックコントローラ内蔵
  • SPI通信I/F内蔵

TB9150FNGの製品写真です。

概要
  • 供給電圧: 6 V~20 V (1次側)、11 V~18 V (2次側)
  • 絶縁耐圧: 2500 Vrms (AC, 1分)
  • 動作温度: Ta = ‒40~125°C
  • パッケージ: SSOP48

システムブロック図

これはIGBTゲートプリドライバ TB9150FNGのシステムブロック図です。

IGBTゲートプリドライバ ラインアップ

品番 パッケージ 機能アプリケーション 機能/特長

電源電圧 (V)

TB9150FNG** P-SSOP48-
0813-0.50
車載インバータ用IGBTゲートプリドライバ制御IC、絶縁素子内蔵(1次側-2次側間: 光結合方式) IGBTゲートプリドライバ制御、
IGBT温度モニタ機能、短絡検出機能(エミッタ電流センス、Vce電圧モニタ)、電源電圧低下検出機能等、フライバックコントローラ内蔵
6V ~ 20V
(GND1基準、1次側)
11V ~ 18V
(VE基準、2次側)

**: 開発中

※本ページに記載されているシステムおよび製品名は、一般に各社の登録商標または商標です。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。