Contact us

別ウィンドウにて開きます 別ウィンドウにて開きます

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistorの略で 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを示します。入力部がMOS構造で出力部がバイポーラ構造のパワー用トランジスタです。高耐圧、大電流に適した半導体で、少ないドライブ電力で高電力を制御できます。応用例としてIH調理器などがあります。

ディスクリートIGBT

特性別にお選びいただけます。

VCES(V) Ta=25°C
400 600 900~
ストロボフラッシュIGBT

ご検討の方に

技術的なご質問
ご購入、サンプルに関するお問い合わせ
To Top
·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。