Contact us

別ウィンドウにて開きます 別ウィンドウにて開きます

IEGT

IEGTはInjection Enhanced Gate Transistor(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ)の略でIGBT*のエミッタの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子です。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイスです。
 

* IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)

特長

優れた遮断能力と高破壊耐量性を備えているため、機器の省エネ化と小型・効率化に貢献します。産業用ドライブ装置、電力用変換装置など、社会インフラを支えている産業分野においてその性能を発揮します。

圧接型(PPI)とモジュール型(PMI)の2種類のパッケージで商品化されており応用装置の電力容量や負荷特性に合わせて選択が可能です。

さらに、新素材SiCを使用したハイブリッドモジュールも準備しています。

圧接型パッケージ

プラスチックケースモジュール型パッケージ

SiCハイブリッドモジュール

ドキュメント

サポート

ご検討の方に

To Top
·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。