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三次元フラッシュメモリ: BiCS FLASH™


更なる大容量化を目指して

当社はNAND型フラッシュメモリを1987年に発明し、1991年に世界で初めて量産して以降、メモリ素子配線幅の微細化により記憶容量を増やして参りました。しかし微細化によって引き起こされる様々な問題により、平面構造のNAND型フラッシュメモリでは更なる容量増に対する技術難易度が非常に高くなっています。

そこで当社はこの問題を打破するため、フラッシュメモリの3次元積層構造考案し2007年に世界で初めて公表注1、開発を進めて三次元フラッシュメモリ:BiCS FLASHを製品化致しました。
 

ターゲットアプリケーション

IoT時代の到来, SNSの普及,ますます高精細になる写真や動画などにより、今日の情報化社会で取り扱われるデータの量は増加の一途を辿っています。これらの大量のデータを管理するビッグデータシステムや、情報を半永久的に保存するデータセンターやクラウドサービスなど、情報処理の現場ではリアルタイム性が重視され、データを低消費電力で高速に処理、記憶、および管理できる大容量ストレージが求められています。またスマートフォン、タブレット、メモリカード等は低消費電力化が求められています。

平面構造のNAND型フラッシュメモリと比較して多くの特長を持つBiCS FLASHは、これらの市場要求に応える最適なソリューションです。
 

BiCS FLASHの特長

高密度化/大容量化

高密度化/大容量化のイメージ

従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げた構造を取っているため単位面積当たりのメモリ容量が増加しました。2017年6月28日発表の96層BiCS FLASHでは更に回路技術やプロセスの最適化により64層に比べて単位面積あたりのメモリ容量が約1.4倍に大容量化しています。

高速化

高速化のイメージ

2D NANDと比較してメモリセル及びメモリセル間のサイズを広げることが可能なため、1度に書き込めるデータ量が増加し書き込みスピードが向上しました。

信頼性向上

信頼性向上のイメージ

2D NANDと比較してメモリセル及びメモリセル間のサイズを広げることが可能なため、隣接メモリセル間の干渉による影響が低減され信頼性が向上しました。

低消費電力化

低消費電力化のイメージ

1度に書き込めるデータ量の増加(=書き込みスピードが向上)により、同一書き込みデータ量での消費電力を削減しました。

ビデオクリップ

  • 注1 2007年6月12日当社発表資料。
  • その他、本ページに記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

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