小型・低オン抵抗MOSFET
用途 | バッテリFET / パワーマネジメントスイッチ |
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極性 | P-ch |
世代 | U-MOSⅥ |
内部接続 | シングル |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
組立て拠点情報 | 台湾 |
東芝パッケージ名 | WCSP6C |
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外観 | ![]() |
ピン数 | 6 |
実装区分 | 表面実装 |
パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
1.5×1.0×0.5 |
パッケージ寸法図 | 表示 |
参考パッド寸法図 | 表示 |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
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ドレイン・ソース間電圧 | VDSS | -20 | V |
ゲート・ソース間電圧 | VGSS | +/-12 | V |
ドレイン電流 | ID | -5.0 | A |
許容損失 | PD | 1.6 | W |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
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ゲートしきい値電圧 (Max) | Vth | - | -1.2 | V |
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=8.5V | 31 | mΩ |
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=8V | 34.7 | mΩ |
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=4.5V | 35 | mΩ |
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=2.5V | 47.5 | mΩ |
入力容量 (Typ.) | Ciss | - | 870 | pF |
ゲート入力電荷量 (Typ.) | Qg | VGS=-4.5V | 9.8 | nC |
データシート |
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データシート |
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PSpiceデータ |
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LTspiceデータ (注) |
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信頼性情報 |
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環境関連情報 |
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環境関連情報 |
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アプリケーションノート |
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カタログ |
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注: LTspice ®はADI社(Analog Devices、Inc.)のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。
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