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TSOP6F

SSM6J811R開発中

小型・低オン抵抗MOSFET

製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ
特長 低オン抵抗
極性 P-ch
世代 U-MOSⅥ
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TSOP6F
外観 TSOP6F
パッケージコード SOT-26F
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
2.9×2.8×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン・ソース間電圧 VDSS -60 V
ゲート・ソース間電圧 VGSS +10/-20 V
ドレイン電流 ID -4 A
許容損失 PD 1.5 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - -2.0 V
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 134
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 164
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4V 184
入力容量 (Typ.) Ciss - 660 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=-10V 15.1 nC

 

ご購入・サンプル請求のご案内
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オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

アプリケーションノート 小型面実装 MOSFET 使用上の注意点 [2016年09月] (PDF: 937KB) NEW
カタログ 汎用小信号半導体 [2015年04月] (PDF: 2173KB)

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    本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。