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TSOP6F

detail_new.gif SSM6K819R新製品

小型・低オン抵抗MOSFET

製品概要

用途 DC-DCコンバータ / パワーマネジメントスイッチ
特長 低オン抵抗
極性 N-ch
世代 U-MOSⅧ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
組立て拠点情報 タイ

パッケージ

東芝パッケージ名 TSOP6F
外観 TSOP6F
パッケージコード SOT-26F
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
2.9×2.8×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン・ソース間電圧 VDSS 100 V
ゲート・ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 10 A
許容損失 PD 1.5 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.5 V
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 36.4
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 25.8
入力容量 (Typ.) Ciss - 1110 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=4.5V 8.5 nC

 

ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

データシート SSM6K819R データシート/日本語 [2019年06月] (PDF: 266KB)
データシート SSM6K819R データシート/英語 [2019年06月] (PDF: 150KB)
環境関連情報 欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書 [2019年11月] (PDF: 141KB) UPDATED
環境関連情報 REACH SVHCに関する証明書 [2019年11月] (PDF: 123KB) UPDATED
アプリケーションノート 小型面実装 MOSFET 使用上の注意点 [2016年09月] (PDF: 937KB) NEW
カタログ 汎用小信号半導体 [2015年04月] (PDF: 2173KB)

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  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、まとめてダウンロードの対象外です。

オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC-Q100
AEC-Q101
SSM6K819R,LXGF 3000 - Yes Yes

ご注意

  • 各品番には、複数の製品が存在する場合があります。RoHS Compatible Product(s) (#)欄の「適合品あり」は、適合品が含まれていることをあらわします。
    RoHS適合性の情報は、弊社材料調達先から取得した時点の調査回答に基づいて作成しております。また、情報は予告なく変更されることがあります。
    本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
  • 信頼性データは参考情報であり、ご採用およびご使用に関する製品情報は弊社営業窓口までお問い合わせください。
  • 本ウェブサイトに掲載されている品番は、納品の際、品番の末尾に付加情報が追加されるなど品番が異なる場合がございます。詳細は、お取引のございます営業窓口、ご購入先窓口、またはお近くの弊社国内営業窓口までご確認ください。
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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。