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TO-220

TK32E12N1

パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)

製品概要

用途 スイッチングレギュレータ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅧ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
組立て拠点情報 中国

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-220
外観 TO-220
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 10.16×15.1×4.45
パッケージ寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン･ソース間電圧 VDSS 120 V
ゲート･ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 60 A
許容損失 PD 98 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 4.0 V
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 13.8 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 2000 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 34 nC

 

ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

データシート TK32E12N1 データシート/日本語 [2014年06月] (PDF: 366KB)
データシート TK32E12N1 データシート/英語 [2014年06月] (PDF: 253KB)
PSpiceデータ PSpiceモデル [2013年11月] (lib: 3KB)
LTspiceデータ (注) LTspiceモデル [2019年02月] (mod: 20KB)
材料組成 製品構成データ [2016年04月] (XLSX: 20KB)
信頼性情報 信頼性データ [2015年05月] (PDF: 86KB)
アプリケーションノート 共振回路およびソフトスイッチング [2019年11月] (PDF: 1372KB) NEW
アプリケーションノート PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート [2019年11月] (PDF: 1348KB) NEW
アプリケーションノート U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1 [2019年06月] (PDF: 2118KB)
アプリケーションノート ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3 [2019年02月] (PDF: 3459KB)
アプリケーションノート MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊 [2018年09月] (PDF: 682KB)
アプリケーションノート MOSFET 二次降伏(S/B) [2018年09月] (PDF: 706KB)
アプリケーションノート 降圧コンバータRCスナバ回路 [2018年09月] (PDF: 1974KB)
アプリケーションノート 構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 510KB)
アプリケーションノート 最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1072KB)
アプリケーションノート 電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 810KB)
アプリケーションノート MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1128KB)
アプリケーションノート 熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 946KB)
アプリケーションノート 寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1492KB)
アプリケーションノート MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1314KB)
アプリケーションノート MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1424KB)
アプリケーションノート MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 989KB)
アプリケーションノート MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 787KB)
アプリケーションノート ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ [2018年07月] (PDF: 1423KB)
アプリケーションノート ディスクリート半導体の温度算出方法 [2018年07月] (PDF: 1150KB)
アプリケーションノート MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法 [2018年07月] (PDF: 648KB)
アプリケーションノート MOSFET セルフターンオン現象について [2018年07月] (PDF: 1550KB)
アプリケーションノート ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2 [2018年07月] (PDF: 1493KB)
カタログ MOSFETs [2016年03月] (PDF: 2526KB)
カタログ 製品品番一覧表:MOSFETs [2016年03月] (PDF: 1295KB)

注: LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

まとめてダウンロード （複数のドキュメントをダウンロードできます）

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、まとめてダウンロードの対象外です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
TK32E12N1,S1X 50 Yes

ご注意

  • 各品番には、複数の製品が存在する場合があります。RoHS Compatible Product(s) (#)欄の「適合品あり」は、適合品が含まれていることをあらわします。
    RoHS適合性の情報は、弊社材料調達先から取得した時点の調査回答に基づいて作成しております。また、情報は予告なく変更されることがあります。
    本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
  • 信頼性データは参考情報であり、ご採用およびご使用に関する製品情報は弊社営業窓口までお問い合わせください。
  • 本ウェブサイトに掲載されている品番は、納品の際、品番の末尾に付加情報が追加されるなど品番が異なる場合がございます。詳細は、お取引のございます営業窓口、ご購入先窓口、またはお近くの弊社国内営業窓口までご確認ください。
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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。
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