パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)
用途 | 車載 / スイッチングレギュレータ / モータドライブ |
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極性 | N-ch |
世代 | U-MOSⅧ-H |
内部接続 | シングル |
AEC-Q101 | 適合 |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
組立て拠点情報 | 日本 |
東芝パッケージ名 | DPAK+ |
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外観 | ![]() |
ピン数 | 3 |
実装区分 | 表面実装 |
パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
6.5×9.5×2.3 |
パッケージ寸法図 | 表示 |
参考パッド寸法図 | 表示 |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
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ドレイン・ソース間電圧 | VDSS | 100 | V |
ゲート・ソース間電圧 | VGSS | +/-20 | V |
ドレイン電流 | ID | 33 | A |
許容損失 | PD | 125 | W |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
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ゲートしきい値電圧 (Max) | Vth | - | 4.0 | V |
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 9.7 | mΩ |
入力容量 (Typ.) | Ciss | - | 2050 | pF |
ゲート入力電荷量 (Typ.) | Qg | VGS=10V | 28 | nC |
データシート |
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データシート |
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PSpiceデータ |
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信頼性情報 |
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アプリケーションノート |
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カタログ |
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