TK8A60W5

用途	スイッチングレギュレータ / モータドライブ
極性	N-ch
世代	DTMOSⅣ
内部接続	シングル
RoHS Compatible Product(s) (#)	適合品あり
組立て拠点情報	マレーシア

パッケージ

東芝パッケージ名	TO-220SIS
外観
JEITA	SC-67
ピン数	3
実装区分	リード挿入
パッケージ寸法幅×長さ×高さ (mm)	10.0×15.0×4.5
パッケージ寸法図	表示

詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目	記号	値	単位
ドレイン･ソース間電圧	V_DSS	600	V
ゲート･ソース間電圧	V_GSS	+/-30	V
ドレイン電流	I_D	8.0	A
許容損失	P_D	30	W

電気的特性

項目	記号	測定条件	値	単位
ゲートしきい値電圧 (Max)	V_th	-	4.5	V
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=10V	540	mΩ
入力容量 (Typ.)	C_iss	-	590	pF
ゲート入力電荷量 (Typ.)	Q_g	V_GS=10V	22	nC

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データシート	TK8A60W5 データシート/英語 [2014年02月] (PDF: 262KB)
PSpiceデータ	PSpiceモデル [2014年07月] (lib: 3KB)
LTspiceデータ (注)	LTspiceモデル [2019年02月] (mod: 21KB)
信頼性情報	信頼性データ [2017年03月] (PDF: 85KB)
アプリケーションノート	共振回路およびソフトスイッチング [2019年11月] (PDF: 1372KB) NEW
アプリケーションノート	PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート [2019年11月] (PDF: 1348KB) NEW
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アプリケーションノート	ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3 [2019年02月] (PDF: 3459KB)
アプリケーションノート	MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊 [2018年09月] (PDF: 682KB)
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アプリケーションノート	構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 510KB)
アプリケーションノート	最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1072KB)
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アプリケーションノート	MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1128KB)
アプリケーションノート	熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 946KB)
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アプリケーションノート	MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1314KB)
アプリケーションノート	MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1424KB)
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アプリケーションノート	MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 787KB)
アプリケーションノート	ディスクリート半導体熱設計の勘どころ [2018年07月] (PDF: 1423KB)
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アプリケーションノート	インバータ回路(DC/AC変換) [2018年07月] (PDF: 2246KB)
カタログ	MOSFETs [2016年03月] (PDF: 2526KB)
カタログ	製品品番一覧表:MOSFETs [2016年03月] (PDF: 1295KB)

ご注意

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本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
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