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TSON Advance

TPCC8137

パワーMOSFET (P-ch 1素子)

製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ
極性 P-ch
世代 U-MOSⅥ
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
組立て拠点情報 マレーシア

パッケージ

東芝パッケージ名 TSON Advance
外観 TSON Advance
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
3.3×3.3×0.85
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン・ソース間電圧 VDSS -20 V
ゲート・ソース間電圧 VGSS +/-12 V
ドレイン電流 ID -13 A
許容損失 PD 30 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - -1.2 V
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 10
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 16
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2V 30
ドレイン・ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 52
入力容量 (Typ.) Ciss - 2990 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=-5V 43 nC

 

ご購入・サンプル請求のご案内
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ドキュメント

データシート TPCC8137 データシート/日本語 [2014年01月] (PDF: 353KB)
データシート TPCC8137 データシート/英語 [2014年01月] (PDF: 230KB)
PSpiceデータ PSpiceモデル [2016年01月] (lib: 3KB)
信頼性情報 信頼性データ [2014年09月] (PDF: 148KB)
アプリケーションノート U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1 [2019年06月] (PDF: 2118KB)
アプリケーションノート バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格 [2019年03月] (PDF: 1587KB)
アプリケーションノート ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3 [2019年02月] (PDF: 3459KB)
アプリケーションノート バイポーラトランジスタアプリケーションノート:熱安定度と放熱設計 [2018年09月] (PDF: 1253KB)
アプリケーションノート バイポーラトランジスタアプリケーションノート:特性と等価回路 [2018年09月] (PDF: 1483KB)
アプリケーションノート バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格と電気的特性の用語集 [2018年09月] (PDF: 1126KB)
アプリケーションノート MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊 [2018年09月] (PDF: 682KB)
アプリケーションノート MOSFET 二次降伏(S/B) [2018年09月] (PDF: 706KB)
アプリケーションノート 降圧コンバータRCスナバ回路 [2018年09月] (PDF: 1974KB)
アプリケーションノート 構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 510KB)
アプリケーションノート 最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1072KB)
アプリケーションノート 電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 810KB)
アプリケーションノート MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1128KB)
アプリケーションノート 熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 946KB)
アプリケーションノート 寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1492KB)
アプリケーションノート MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1314KB)
アプリケーションノート MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 1424KB)
アプリケーションノート MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 989KB)
アプリケーションノート MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート [2018年07月] (PDF: 787KB)
アプリケーションノート ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ [2018年07月] (PDF: 1423KB)
アプリケーションノート ディスクリート半導体の温度算出方法 [2018年07月] (PDF: 1150KB)
アプリケーションノート MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法 [2018年07月] (PDF: 648KB)
アプリケーションノート MOSFET セルフターンオン現象について [2018年07月] (PDF: 1550KB)
アプリケーションノート ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2 [2018年07月] (PDF: 1493KB)
カタログ MOSFETs [2016年03月] (PDF: 2526KB)
カタログ 製品品番一覧表:MOSFETs [2016年03月] (PDF: 1295KB)

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オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
TPCC8137,L1Q 5000 Yes

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    本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
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