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MOSFET製品リスト

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DTMOSⅥシリーズ

プロセス技術

シングルエピプロセスを採用し、構造最適化により低RDS(ON)×Qgd化を達成しました。

特長

低RDS(ON)×Qgd化を実現してスイッチング電源の高効率化が可能

性能指標比較

測定条件

RDS(ON) : ID=28.5A, VGS=10V
Qgd : VDD=400V, ID=57A,VGS=10V
注 : 上記グラフは実測値の平均値をプロットしたものです。
 
 

効率結果(自社比較)

評価条件

評価ボード : PFC回路ボード (出力2.5kW MAX.)
入力電圧 : 220V AC
出力電圧 : 400V
スイッチング周波数 : 80kHz (CCMモード)
外付けゲート抵抗 : 5.0Ω
 
 

効率評価結果(他社比較)

評価条件

評価ボード : AC/DC電源 PFC回路部(出力1.6kW MAX.)
出力電圧 : 12V DC
スイッチング周波数 : 66kHz
外付けゲート抵抗 : 10Ω
 
 

製品一覧

製品名 特長 用途

TK040N65Z

低RDS(ON)×Qgd化を実現してスイッチング電源の高効率化が可能
・RDS(ON)=0.033Ω(標準)
・VDSS=650V

・データセンタ (サーバ電源など)
・太陽光発電パワーコンディショナ
・無停電電源装置

ご検討の方に

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。