最新世代スーパージャンクションMOSFET DTMOSⅥシリーズ

性能指標比較

DTMOSシリーズは高耐圧でありながら、ドリフト層の抵抗を低減できるスーパージャンクション構造を有しており、当社では第4世代であるDTMOSⅣシリーズより、シングルエピプロセスを採用し、更なる低オン抵抗と高速スイッチングの両立を実現しております。最新世代品であるDTMOSⅥシリーズは、従来製品のDTMOSⅣ-Hシリーズと比較し、性能指数であるドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd) の低減を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献できる製品群です。

MOSFETのドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd)はその値が小さいほど、MOSFETが低導通損失及び低スイッチング損失を実現できるという性能指標であり、DTMOSⅥシリーズではゲートデザインおよびプロセスの最適化により、従来製品のDTMOSⅣ-Hシリーズと比較し、RDS(ON)×Qgdを約40%の低減を実現しております。また競合他社の同等定格・特性品との比較においても約30%の低減を実現しており、スイッチング電源の高効率化に貢献します。

効率結果(自社比較)

MOSFETの性能指数であるドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd) の低減を実現したことにより、最大出力2.5kWのPFC回路評価基板での効率評価にて従来製品のDTMOSⅥシリーズに比べ、全出力電力領域で電力変換効率を改善しており、特に2.5kW出力時に0.36%改善、損失にして約10Wの低減を実現しています。サーバーや通信機器といった産業機器用スイッチング電源で求められる高効率に貢献します。

効率評価結果(他社比較)

最大出力1.6kWのサーバー用AC-DC電源のPFC部においてDTMOSⅥ、当社従来品および競合他社品との電力変換効率の比較評価を行った結果を下グラフに示します。当社DTMOSⅥシリーズは、AC230V、AC180Vいずれの入力条件においても50%負荷条件で約95%を実現しています。また従来品および競合他社品と比較して全出力電力領域において同等以上の効率を実現しており、サーバーなどの高効率が要求されるスイッチング電源に最適です。

回路シミュレーション

スイッチング電源回路ライブラリーは実際の要件に基づいた電源回路の基本的なトポロジーが多数準備されており、トポロジーの選択およびダウンロードができるサービスです。

関連情報

ご検討の方へ

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ

ご購入、サンプルに関するお問い合わせ

オンラインディストリビューター在庫検索&Web少量購入

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

検索キーワード:

外部ウェブサイトについて
ここから先は、東芝デバイス&ストレージ株式会社およびその関係会社(以下、総称して「当社」 といいます。)の販売代理店様のウェブサイト(以下、「第三者ウェブサイト」といいます。)になります。第三者ウェブサイトを通したお取引は、各販売代理店様が定める取引条件に従っていただくことになりますのでご了承ください。本ウェブサイトからリンクしている第三者ウェブサイトは、それらを運営する各販売代理店様がその責任において管理するものであり、当社の管理下にはありません。本ウェブサイトとリンクしている事実をもって、当社が第三者ウェブサイトの内容を推奨していることを意味するものではありません。また、当社は第三者ウェブサイトの内容及びそれを通したお取引についていかなる責任も負うものではありませんので、お客様ご自身の責任でご利用ください。