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概要

フォトリレーは入力側LEDと出力側MOSFETで構成されたフォトカプラです。メカニカルリレーと比べて長寿命・低電流駆動・高速応答といった点で優れ ており、半導体テスタの接点切り替えやセキュリティ機器の出力接点など様々な製品に応用されています。超小型VSON/S-VSONパッケージや低RON、低CoFFを特徴とした半導体テスタ向け製品や幅広いパッケージと大電流・高オフ電圧などを特徴とした汎用製品をラインアップしています。

東芝フォトリレー開発の歴史

2016年 スーパージャンクションMOS適用
2016年 オン電流5A達成
2016年 S-VSON4 PKG販売開始
2014年 VSON4 PKG販売開始
2009年 トリガLED電流1mA達成
2007年 CR積5pFΩ達成
2003年 オン電流2.5A達成
2000年 オン電流1A達成
2000年 CR積10pFΩ達成
1999年 UMOS適用
1997年 CR積100pFΩ達成
1996年 SOP製品スタート
1989年 DIP製品スタート
1988年 πMOSで製品検討・適用

強み

自社一括生産 画像を拡大
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*PDA: Photo Diode Array

最新UMOS適用 画像を拡大
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**東芝製トレンチ構造型MOSFET
***東芝製スーパージャンクション構造型MOSFET

小型 S-VSON4パッケージ 画像を拡大
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注力分野

大電流(高容量)フォトリレー
電流定格は最大5A、耐圧は最大で600Vまでのバリエーションを拡張し応用範囲が拡大。
テスタ用(超小型)フォトリレー
ディスクリート製品で培った小型パッケージング技術を駆使し、業界最小クラス*のパッケージサイズを実現。

*18年3月時点東芝調べ

汎用フォトリレー
高効率ラインを活用し、生産効率を最大化した製品、低消費電流タイプのTLP176AM/TLP172GMや絶縁耐圧(BVs)5kVrmsまで保証できる高絶縁耐圧品のTLP240/TLP241、ラインアップ化。

東芝フォトリレー 紹介


 

アプリケーションノート

ご検討の方に

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。