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双方向DC-DCコンバーター回路

ディスクリートソリューションを用いた回路例

回路解説

双方向DC-DCコンバーター回路 ブロック図例

無停電電源装置では、充電から放電、放電から充電への高速な転換を実現するため、また小型設計の要求にこたえるために双方向充放電DC-DCコンバーターが必要となります。高効率な絶縁型DC-DCコンバーターの回路方式としては電流共振型フルブリッジコンバーターが有名です。これは、トランスの漏れインダクタンスとコンデンサーによる共振を利用してゼロ電流スイッチングを実現することでスイッチング損失をゼロにして、少ない部品点数で高効率を達成することができます。
大容量の場合、最終段駆動MOSFETのゲート前段にバッファートランジスターを入れる必要があり、バッファー駆動の保護とアナログ的なタイミング設計に負荷がかかっていました。バッファートランジスターをMOSFETで構成でき、かつ各種保護機能を内蔵しているTLP5231を使用することにより、タイミング設計とマイコン設計を簡素化することができます。パワー素子の容量に応じてバッファー用MOSFET周辺を調整するだけで動作させることが可能ですので、基本回路設計の横展開 (プラットフォーム化) が可能です。

代表的な推奨製品の例を下記に掲載するとともに、製品入手のためオンラインディスティ在庫検索ページへのリンクも掲載していますので合わせてご確認ください。

当社のアイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)は、フォトカプラー、ソリッドステートリレー(SSR)、光伝送モジュールをラインアップしています。フォトカプラーは、機器の安全性向上、低消費電力化、小型・薄型化に大きく貢献しています。

製品名

データシート
パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

TLP5214
 

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(1090 KB)

SO16L
(10.3×10.0×2.1)

SO16L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~110 [°C]
1ch出力 保護機能付きゲートドライバー

TLP5231
 

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(1923 KB)

SO16L
(10.3×10.0×2.1)

SO16L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~110 [°C]
2ch出力 保護機能付きゲートドライバー

TLP5754
 

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(1186 KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~110 [°C]
トーテムポール出力 単機能ゲートドライバー

TLP2761
 

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(1298 KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~125 [°C]
トーテムポール出力 高速ロジック

TLP2768A

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(1417 KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~125 [°C]
オープンコレクタ出力 高速ロジック

TLP7820

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(715 KB)

SO8L(LF4)
(5.85×11.05×2.1)

SO8L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~105 [°C]
アナログ出力 アイソレーションアンプ

トレンチ構造を採用し、優れた微細化技術を用いてセルの高集積化を進めることで、ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)を改善しています。

製品名

データシート パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

TK25A60X
 

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(364 KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS = 600 [V], IO = 25 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.105 [Ω],
N-ch MOSFET

TK16A60W5
 

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(367 KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS = 600 [V], IO = 16 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.18 [Ω],
N-ch MOSFET

TK110A65Z
 

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(578 KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS = 650 [V], IO = 24 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.092 [Ω],
N-ch MOSFET

TK190A65Z
 

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(579 KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS = 650 [V], IO = 15 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.158 [Ω],
N-ch MOSFET

TPN19008QM

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(612 KB)

TSON Advance
(3.3×3.3×0.85)

TSON Advance

VDSS = 80 [V], IO = 34 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.0147 [Ω],
N-ch MOSFET

TPH2R408QM

在庫検索

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(746 KB)

SOP Advance
(5.0×6.0×0.95)

SOP Advance

VDSS = 80 [V], IO = 120 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.0019 [Ω],
N-ch MOSFET

TK100E10N1

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(372 KB)

TO-220
(10.16×15.1×4.45)

TO-220

VDSS = 100 [V], IO = 100 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.0028 [Ω],
N-ch MOSFET

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