DC-ACインバーター回路

ディスクリートソリューションを用いた回路例

回路解説

DC-ACインバーター回路 ブロック図例

DC-ACインバーター回路は双方向DC-DCコンバーター同様高効率と低損失が求められます。300Vから400Vの直流電圧を受けることから低RDS(ON)かつ低スイッチング損失のMOSFETのご使用を推奨します。信号通信においては電源信号ラインとの絶縁が必要です。光結合方式のフォトカプラーを用いることで簡単かつ確実に絶縁することができます。高速通信が可能なIC出力フォトカプラーを推奨します。さらに、各国で定められた安全基準を遵守することが重要であり、東芝フォトカプラーは、UL1577、VDE:EN60747-5-5、EN62368-1などの承認を得ております。また、出力段では、低オン抵抗のMOSFETによる低消費電力化や、高耐圧・大電流のトランジスターアレイによる高出力化に寄与します。

代表的な推奨製品の例を下記に掲載するとともに、製品入手のためオンラインディスティ在庫検索ページへのリンクも掲載していますので合わせてご確認ください。

当社のアイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)は、フォトカプラー、ソリッドステートリレー(SSR)、光伝送モジュールをラインアップしています。フォトカプラーは、機器の安全性向上、低消費電力化、小型・薄型化に大きく貢献しています。

製品名

データシート
パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

TLP5214
 

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(1090 KB)

SO16L
(10.3×10.0×2.1)

SO16L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~110 [°C]
1ch出力 保護機能付きゲートドライバー

TLP5231
 

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(1923 KB)

SO16L
(10.3×10.0×2.1)

SO16L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~110 [°C]
2ch出力 保護機能付きゲートドライバー

TLP5754
 

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(1186 KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~110 [°C]
トーテムポール出力 単機能ゲートドライバー

TLP2761
 

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(1298 KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~125 [°C]
トーテムポール出力 高速ロジック

TLP2768A

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(1417 KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS (Min) = 5 [kVrms], Topr= -40~125 [°C]
オープンコレクタ出力 高速ロジック

トレンチ構造を採用し、優れた微細化技術を用いてセルの高集積化を進めることで、ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)を改善しています。

製品名

データシート パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

TK25A60X
 

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(364 KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS = 600 [V], IO = 25 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.105 [Ω],
N-ch MOSFET

TK16A60W5
 

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(367 KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS = 600 [V], IO = 16 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.18 [Ω],
N-ch MOSFET

TK110A65Z
 

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(578 KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS = 650 [V], IO = 24 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.092 [Ω],
N-ch MOSFET

TK190A65Z
 

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(579 KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS = 650 [V], IO = 15 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.158 [Ω],
N-ch MOSFET

TPN19008QM

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(612 KB)

TSON Advance
(3.3×3.3×0.85)

TSON Advance

VDSS = 80 [V], IO = 34 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.0147 [Ω],
N-ch MOSFET

TPH2R408QM

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(746 KB)

SOP Advance
(5.0×6.0×0.95)

SOP Advance

VDSS = 80 [V], IO = 120 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.0019 [Ω],
N-ch MOSFET

TK100E10N1

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(372 KB)

TO-220
(10.16×15.1×4.45)

TO-220

VDSS = 100 [V], IO = 100 [A], RDS(ON) (Typ.) = 0.0028 [Ω],
N-ch MOSFET

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