ワイヤレスイヤホン

ワイヤレスイヤホン本体の回路例

回路解説

イヤホン本体の回路例

バッテリーでの長時間動作は、さまざまなアプリケーションで共通の設計要件です。特にイヤホンは小型バッテリーでなければならない制約上そのバッテリー容量も小さくならざるを得ません。小さいバッテリー容量をたくさんの高機能ICへ電源供給していき長時間駆動させるためには、個々の高機能ICの低消費電力化はもちろんのこと、電源回路設計でもさまざまなテクニックを駆使しなければなりません。また、イヤホンは小さいながらしっかりと耳にフィットしてくれることが重要で、その形状に合わせた基板サイズが求められる一方、使用時には耳に装着するので人体から発生する静電気によって常に静電気破壊のリスクにさらされています。

充電ICや電源制御ICから先の電源マネージメントにおいては、無線通信IC、オーディオICやフラッシュメモリーなどの電源に対する要求性能が高くなるケースがあります。イヤホン使用時には常にこれらのICが動作を行うため、その電源供給を安定させなければなりません。LDOの選択は、低電圧/大電流電力制御のために特に重要です。当社のTCR5BMやTCR3UGシリーズLDOレギュレーターは、低消費電流で0.8V~5.0Vの広い出力電圧を特長としています。これらを用いることにより、省スペース化とシステム全体の動作最適化による低消費電力化の両立を図ることができます。

また、イヤホン充電端子やマイクなど外部に露出している部分は静電気が侵入しやすいです。このリスクを回避するために数ns~ms ESDや過渡電圧の対策には、当社の高IPPのTVSダイオード(ESD保護用ダイオード)を使用することができます。筐体の小型化要求の高まりによる回路小型化のため、製品を小型パッケージに搭載しました。また、IEC61000-4シリーズの認定を取得しているので、従来よりも簡単で強力な保護回路を提供することができます。

低ドロップアウト、低消費電流などの高性能要求に最適な製品を一般的な汎用パッケージから超小型パッケージまでラインアップしております。

製品名

パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

オンラインディスティ在庫検索

TCR5BM10A

DFN5B
(1.2×1.2×0.38)

Low Drop-Out, VDO=95mV (Typ.) (@IOUT=500mA), VOUT=1.0V (Typ.), IOUT=500mA (Max)

TCR5BM12A

DFN5B
(1.2×1.2×0.38)

Low Drop-Out, VDO=105mV (Typ.) (@IOUT=500mA), VOUT=1.2V (Typ.), IOUT=500mA (Max)

TCR3UG18A

WCSP4F
(0.645×0.645×0.33)

Low quiescent current, IB(ON)= 0.34μA (Typ.) (@IOUT=0mA), VOUT=1.8V (Typ.), IOUT=300mA (Max)

TCR3UG33A

WCSP4F
(0.645×0.645×0.33)

Low quiescent current, IB(ON)= 0.34μA (Typ.) (@IOUT=0mA), VOUT=3.3V (Typ.), IOUT=300mA (Max)

TCR2EN18

SDFN4
(0.8×0.8×0.38)

Low Drop-Out, VDO=210mV (Typ.) (@IOUT=150mA), VOUT=1.8V (Typ.), IOUT=200mA (Max)

TCR2EN33

SDFN4
(0.8×0.8×0.38)

Low Drop-Out, VDO=130mV (Typ.) (@IOUT=150mA), VOUT=3.3V (Typ.), IOUT=200mA (Max)

外部端子から侵入する静電気などのサージ電圧からデバイスを保護したり、ICの誤動作を防止するダイオードです。当社では、独自のプロセス技術で、高い静電気耐量と回路保護性能を実現しています。汎用から高速信号までの幅広い製品ラインアップを提供しています。

製品名

パッケージ名称
(幅×長さ×高さ mm)

製品概要

オンラインディスティ在庫検索

DF2B6USL

SOD-962 (SL2)
(0.62×0.32×0.3)

VESD=+/-10kV, VRWM=+/-5.5V(Max), CT=1.5pF(Typ.)(@VR=0V, f=1MHz), Rdyn=0.25Ω(Typ.)

DF2B7ASL

SOD-962 (SL2)
(0.62×0.32×0.3)

VESD=+/-30kV, VRWM=+/-5.5V(Max), CT=8.5pF(Typ.)(@VR=0V, f=1MHz), Rdyn=0.2Ω(Typ.)

DF2S6P1CT

SOD-882 (CST2)
(1.0×0.6×0.38)

VESD=+/-30kV, VRWM=5.5V(Max), CT=90pF(Typ.)(@VR=0V, f=1MHz), Rdyn=0.23Ω(Typ.)

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