Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Источники питания с прямым преобразованием переменного тока в постоянный

Источники питания с прямым преобразованием переменного тока в постоянный с относительно простой конфигурацией цепи широко используются для питания систем с мощностью до нескольких сотен ватт. Такие источники питания имеют более высокий КПД трансформатора, чем обратноходовые источники. Поэтому они используются в системах мощностью до 500 Вт. Компания Toshiba предлагает широкий спектр МОП-транзисторов с VDSS от 600 до 800 В, идеально подходящих для таких источников питания.

Рекомендованные продукты

Для просмотра рекомендованных продуктов щелкайте по соответствующим цветным блокам.

フォワード型AC-DC電源の回路例

Blocking Diode PFC MOSFET PFC Controller ICs Main Switch MOSFET Photocoupler Gate Driver Rectification MOSFET

Примеры применения

Whitepaper

Whitepaper
Name Outline Date of issue
Describes the features of the DTMOSV series and the improvements from the previous series 9/2017

user registration

  • DTMOS Applications (Noise Reduction)
Describes the mechanism of noise generation and noise reduction techniques coming soon

Application Note

Application note
Name outline Date of issue
Provides hints and tips based on simulation results to help you reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 01/2018
The high dv / dt between the drain and the source of the MOSFET can cause problems and explain the cause of this phenomenon and its countermeasures. 12/2017
Describes mechanism of avalanche phenomenon, I will explain durability and countermeasures against it 12/2017
describes how to reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
describes how to calculate the temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
discusses temperature derating of the MOSFET safe operating area. 12/2017
When a rapidly rising voltage is applied between the drain and source of the MOSFET,the MOSFET may malfunction and turn on, and its mechanism and countermeasures will be explained. 12/2017
Describes the guidelines for the design of a gate driver circuit for MOSFET switching applications and presents examples of gate driver circuits 11/2017

user registration

Describes current imbalance in parallel MOSFETs and the mechanism of parasitic oscillation 11/2017

user registration

Describes the oscillation mechanism of MOSFETs for switching applications 11/2017

user registration

Describes thermal equivalent circuits, examples of channel temperature calculation and considerations for heatsink attachment 2/2017
Describes planar, trench and super-junction power MOSFETs 11/2016
Describes the absolute maximum ratings, thermal impedance and safe operating area of power MOSFETs 11/2016
Describes electrical characteristics shown in datasheets 11/2016
Describes how to select power MOSFETs, temperature characteristics, the impacts of wires and parasitic oscillation, avalanche ruggedness, snubber circuits and so on 11/2016

Video


  • Обзор схемы

    Когда выключатель замкнут, энергия, накопленная в первичной обмотке трансформатора, передается вторичной обмотке.

    В отличие от обратноходовых преобразователей, полярность вторичной обмотки трансформатора в прямоходовых преобразователях противоположна полярности первичной обмотки. Кроме того, для создания источника питания с преобразованием переменного тока в постоянный прямоходовым преобразователям требуются катушка индуктивности (L) и диод обратной цепи.

    Выходное напряжение прямоходового преобразователя зависит от коэффициента трансформации трансформатора и отношения интервалов времени работы и простоя транзистора.

    Vo=(Ns/Np)[Ton/(Ton+Toff)]Vin,
    где Ns — число витков вторичной обмотки транзистора, Np — число витков первичной обмотки, Ton и Toff — периоды работы и простоя транзистора.

    Прямоходовые преобразователи применяются в источниках питания мощностью в сотни ватт.


 *Щелкните заголовок, чтобы открыть его.

  • Описание работы

    Когда Q1 включен, энергия, накопленная в первичной обмотке трансформатора, передается вторичной обмотке.

    1. Q1 ВКЛ.

    Электрический ток течет к первичной обмотке Np.

    Одновременно накопленная энергия передается вторичной обмотке. В результате ток течет через диод D2 и катушку L1 и заряжает конденсатор C1.

    Во включенном состоянии мощный транзистор Q1 подает мощность на выходную нагрузку. Поэтому катодное напряжение диода в прямоходовом преобразователе (Vor) вычисляется по следующей формуле:

    Vor=[(Vdc–VDS1(ON))(Nm/Np)]–Vd2.

    VDS1 — напряжение «сток-исток» транзистора Q1.

    Np — число витков первичной обмотки.

    VD2 — напряжение между анодом и катодом в диоде D2.

    Nm — число витков вторичной обмотки.

    2. Q1 ВЫКЛ.

    Когда Q1 выключен, ток, текущий через диод D2, снижается, создавая в первичной и вторичной обмотках отрицательное напряжение по отношению к концу обмотки. Накопленная в трансформаторе энергия высвобождается через диод D1 в виде тока возбуждения и осуществляет сброс трансформатора. В этом время напряжение в Nr достигает величины Vdc+0,7 В.
    Напряжение в Np меняет знак и сравнивается с напряжением в Nr. В результате напряжение «сток-исток» транзистора Q1 принимает значение 2Vdc (2Vdc+0,7 В≈2Vdc). Когда A1=A2, поддерживается напряжение стока транзистора Q1 (2Vdc).

    Выходное напряжение

    Выходное напряжение Vo сравнивается с эталонным напряжением, и разностный выходной сигнал подается в контроллер PWM через усилитель сигнала рассогласования. В свою очередь, выходной импульс PWM включает и выключает МОП-транзистор (Q1). Этот контур отрицательной обратной связи поддерживает напряжение Vor постоянным. Vo рассчитывается следующим образом:

    Vo=[(Vdc–VDS1(ON))(Nm/Np)–Vd2](Ton/T)
    T — время цикла. Ton — время пребывания Q1 во включенном состоянии в одном цикле.



 *Щелкните заголовок, чтобы открыть его.

Контакты

Если у вас возникли вопросы, перейдите по одной из этих ссылок:

Запрос на предоставление технической информации
Вопросы о покупке, образцах и надежности интегральных схем
To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.