Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Резонансные полномостовые источники питания для преобразования переменного тока в постоянный

Поскольку полномостовые источники питания имеют более высокий КПД, чем полумостовые, они в основном используются в устройствах большой мощности (более 1 кВт). Для полномостовых источников требуются МОП-транзисторы с высокой скоростью переключения или с диодами, отличающиеся коротким временем обратного восстановления. Toshiba предлагает МОП-транзисторы на 600–650 В, сочетающие обе эти характеристики.

Рекомендованные продукты

Для просмотра рекомендованных продуктов щелкайте по соответствующим цветным блокам.

フルブリッジ型AC-DC電源の回路例

Blocking Diode PFC MOSFET PFC Controller ICs Main Switch MOSFET Photocoupler Gate Driver Rectification MOSFET Oring MOSFET

Примеры применения

Whitepaper

Whitepaper
Name Outline Date of issue
Describes the features of the DTMOSV series and the improvements from the previous series 9/2017

user registration

  • DTMOS Applications (Noise Reduction)
Describes the mechanism of noise generation and noise reduction techniques coming soon

Application Note

Application note
Name outline Date of issue
Provides hints and tips based on simulation results to help you reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 01/2018
The high dv / dt between the drain and the source of the MOSFET can cause problems and explain the cause of this phenomenon and its countermeasures. 12/2017
Describes mechanism of avalanche phenomenon, I will explain durability and countermeasures against it 12/2017
describes how to reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
describes how to calculate the temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
discusses temperature derating of the MOSFET safe operating area. 12/2017
When a rapidly rising voltage is applied between the drain and source of the MOSFET,the MOSFET may malfunction and turn on, and its mechanism and countermeasures will be explained. 12/2017
Describes the guidelines for the design of a gate driver circuit for MOSFET switching applications and presents examples of gate driver circuits 11/2017

user registration

Describes current imbalance in parallel MOSFETs and the mechanism of parasitic oscillation 11/2017

user registration

Describes the oscillation mechanism of MOSFETs for switching applications 11/2017

user registration

Describes thermal equivalent circuits, examples of channel temperature calculation and considerations for heatsink attachment 2/2017
Describes planar, trench and super-junction power MOSFETs 11/2016
Describes the absolute maximum ratings, thermal impedance and safe operating area of power MOSFETs 11/2016
Describes electrical characteristics shown in datasheets 11/2016
Describes how to select power MOSFETs, temperature characteristics, the impacts of wires and parasitic oscillation, avalanche ruggedness, snubber circuits and so on 11/2016

Video


  • Обзор схемы

    отя у полномостовых источников питания с преобразованием переменного тока в постоянный сложная конфигурация схемы, их можно создавать с помощью низковольтных устройств.

    Благодаря высокой эффективности такие источники питания используются в системах с мощностью 300 Вт и выше.

    Схема первичной обмотки трансформатора состоит из транзисторов Q1–Q4, их паразитных диодов и катушки индуктивности (L). Движение токов меняется, как показано на рисунке, согласно состояниям включения и выключения транзисторов.

    Синхронизация по времени 

    0–t1:Q1,Q3:ВКЛ.    Q2,Q4:ВЫКЛ.

    t1–t2:Q1,Q3:ВЫКЛ.

    t2–t3:Q1,Q3:ВЫКЛ.    Q2,Q4:ВКЛ.

    t3–t4:Q2,Q4:ВЫКЛ.

 *Щелкните заголовок, чтобы открыть его.

  • Описание работы

    1. Q1/Q3 ВКЛ.

    Q1 и Q3 включены. В результате на первичную обмотку трансформатора Np подается напряжение Vs.
    Одновременно энергия, накопленная в первичной обмотке, передается во вторичную обмотку. В силу положительной полярности этого напряжения электрический ток течет через диод D1 и катушку L, заряжая конденсатор C.

    2. Q1/Q3 ВЫКЛ.

    Когда транзисторы Q1 и Q3 выключены, накопленная в катушке индуктивности LD энергия преобразуется в ток нагрузки во вторичной обмотке.

    3. Q2/Q4 ВКЛ.

    Q2 и Q4 включены. В результате на первичную обмотку трансформатора Np подается напряжение Vs.
    Одновременно энергия, накопленная в первичной обмотке, передается во вторичную обмотку. Так как это напряжение противоположно тому, что было на шаге 1, электрический ток течет через диод D2 и катушку L, заряжая конденсатор C.

    4. Q2/Q4 ВЫКЛ.

    When Q2 and Q4 are turned off, the energy stored in the reactor LD is flowing a load current in the secondary side.

    Выходное напряжение аппроксимируется следующим образом:

    t(on) — время цикла минус время задержки,
    T — время цикла, Np — первичная обмотка, Ns — Вторичная обмотка (Ns1=Ns2=Ns), Vs>>Vds, Vf.

    VOUT=[Vs×(Ns/Np)]×( 2xt(ON)/T)



 *Щелкните заголовок, чтобы открыть его.

Контакты

Если у вас возникли вопросы, перейдите по одной из этих ссылок:

Запрос на предоставление технической информации
Вопросы о покупке, образцах и надежности интегральных схем
To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.