Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Резонансные полумостовые источники питания для преобразования переменного тока в постоянный

Резонансные полумостовые источники питания подходят для областей применения, где требуется относительно большая мощность. Они подходят для систем с мощностью от 150 Вт до 1,6 кВт. Некоторые резонансные полумостовые источники питания работают с очень высоким КПД благодаря переключению при нулевом напряжении (zero-voltage switching, ZVS). Для систем с такими источниками питания могут использоваться типичные МОП-транзисторы с VDSS от 600 до 800 В. Toshiba также предлагает МОП-транзисторы с высокоскоростными диодами (high-speed diode, HSD), отличающиеся коротким временем обратного восстановления (reverse recovery time, trr). Они предназначены для систем, в которых проходящий через диод ток регенерации вызывает потери восстановления.

Рекомендованные продукты

Для просмотра рекомендованных продуктов щелкайте по соответствующим цветным блокам.

共振ハーフブリッジ型AC-DC電源の回路例

Blocking Diode PFC MOSFET PFC Controller ICs Main Switch MOSFET Photocoupler Gate Driver Rectification MOSFET Oring MOSFET

Примеры применения

Whitepaper

Whitepaper
Name Outline Date of issue
Describes the features of the DTMOSV series and the improvements from the previous series 9/2017

user registration

  • DTMOS Applications (Noise Reduction)
Describes the mechanism of noise generation and noise reduction techniques coming soon

Application Note

Application note
Name outline Date of issue
Provides hints and tips based on simulation results to help you reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 01/2018
The high dv / dt between the drain and the source of the MOSFET can cause problems and explain the cause of this phenomenon and its countermeasures. 12/2017
Describes mechanism of avalanche phenomenon, I will explain durability and countermeasures against it 12/2017
describes how to reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
describes how to calculate the temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
discusses temperature derating of the MOSFET safe operating area. 12/2017
When a rapidly rising voltage is applied between the drain and source of the MOSFET,the MOSFET may malfunction and turn on, and its mechanism and countermeasures will be explained. 12/2017
Describes the guidelines for the design of a gate driver circuit for MOSFET switching applications and presents examples of gate driver circuits 11/2017

user registration

Describes current imbalance in parallel MOSFETs and the mechanism of parasitic oscillation 11/2017

user registration

Describes the oscillation mechanism of MOSFETs for switching applications 11/2017

user registration

Describes thermal equivalent circuits, examples of channel temperature calculation and considerations for heatsink attachment 2/2017
Describes planar, trench and super-junction power MOSFETs 11/2016
Describes the absolute maximum ratings, thermal impedance and safe operating area of power MOSFETs 11/2016
Describes electrical characteristics shown in datasheets 11/2016
Describes how to select power MOSFETs, temperature characteristics, the impacts of wires and parasitic oscillation, avalanche ruggedness, snubber circuits and so on 11/2016

Video


  • Обзор схемы

    Резонансные полумостовые источники питания в качестве альтернативы включают два транзистора, демонстрируя высокую степень использования трансформатора. Кроме того, резонанс помогает снизить потери при переключении, позволяя обеспечить высокую эффективность преобразования энергии.

    Резонансные полумостовые источники питания можно применять там, где требуется высокая мощность, обычно от 150 Вт до 1 кВт.

    Чтобы предотвратить сквозной ток, резонансным полумостовым источникам питания требуется время задержки, в течение которого оба транзистора Q1 и Q2 не включены одновременно. Возникновение несимметричного намагничивания маловероятно из-за конфигурации схемы.

 *Нажмите на заголовок, чтобы открыть его

  • Описание работы

    1. Q1 включается. В результате подается напряжение на резонансный контур, состоящий из катушек индуктивности Lr, L и конденсатора Cr. Конденсатор Cr заряжается.
    Зарядный ток поступает во вторичную обмотку через катушку L. Резонансный ток постепенно возрастает до максимального уровня. Так как подаваемое на катушку L напряжение снижается по мере зарядки конденсатора Cr, резонансный ток начинает уменьшаться.
    Однако ток возбуждения, проходящий через катушку индуктивности Lm, продолжает течь.

    2. Q1 выключается. Ток возбуждения заряжает паразитную емкость транзистора Q1 (Cds1) и разряжает паразитную емкость транзистора Q2 (Cds2).
    Затем ток проходит через диод Dq2. Поэтому нет немедленного увеличения Vds1 и немедленного снижения Vds2.

    3. Когда Vds2 достигает нуля, Q2 включается, вызывая сброс заряда, накопленного в конденсаторе Cr на шаге 1.
    Этот ток поступает во вторичную обмотку через катушку индуктивности L.
    Напряжение на конденсаторе Cr падает, напряжение на катушке L возрастает, постепенно снижая ток.
    Однако ток возбуждения, проходящий через катушку индуктивности Lm, продолжает течь.

    4. Q2 выключается. Как и на шаге 2, конденсатор Cq1 разряжается, а Cq2 заряжается.

    1. Когда Vds1 достигает нуля, Q1 включается.


 *Нажмите на заголовок, чтобы открыть его

Контакты

Если у вас возникли вопросы, перейдите по одной из этих ссылок:

Запрос на предоставление технической информации
Вопросы о покупке, образцах и надежности интегральных схем
To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.