Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Источник питания

Эталонный дизайн высокоэффективного источника питания переменного/постоянного тока для серверов на 1,6 кВт, класс 80Plus Platinum

Обзор

Для источников питания требуются силовые МОП-транзисторы, отличающиеся высокой эффективностью, малым размером и надежностью. С момента выпуска первого силового МОП-транзистора Toshiba для систем питания эти устройства широко используются на различных рынках.

С учетом повышенного спроса компания Toshiba разработала новую высоковольтную серию DTMOS, низковольтную серию U-MOS, а также МОП-транзисторы на основе нового материала — карбида кремния (SiC), который повышает энергоэффективность источников питания.

Блок-схема системы питания

Импульсный источник питания

Линейные источники питания

Сфера применения

Документы

Whitepaper

Whitepaper
Name Outline Date of issue
Describes the features of the new package and an operation analysis using simulation 9/2017

user registration

Describes the features of the DTMOSV series and the improvements from the previous series 9/2017

user registration

  • DTMOS Applications (Noise Reduction)
Describes the mechanism of noise generation and noise reduction techniques coming soon

Указания по применению

Указания по применению
Название схема Дата выпуска
Содержит советы и рекомендации на основе результатов моделирования, помогающие снизить температуру кристаллов в дискретных полупроводниковых устройствах. Январь 2018 г.
Резкое изменение напряжения между стоком и истоком МОП-транзистора может привести к проблемам. В этом документе объясняются причины данного явления и способы его нейтрализации. Декабрь 2017 г.
Описание механизма лавинного процесса, а также устойчивости к нему и возможных способов его нейтрализации. Декабрь 2017 г.
Описание способов снижения температуры кристаллов дискретных полупроводниковых устройств. Декабрь 2017 г.
Описание порядка расчета температуры дискретных полупроводниковых устройств. Декабрь 2017 г.
Описание занижения номинального значения температуры для области надежной работы МОП-транзистора. Декабрь 2017 г.
Резкий рост напряжения между стоком и истоком МОП-транзистора может вызвать неисправность в виде самопроизвольной активации транзистора. В этом документе обсуждается механизм этого явления и способы его нейтрализации. Декабрь 2017 г.
Описание тепловых эквивалентных схем, примеры расчета температуры канала и рекомендации по присоединению радиатора. Февраль 2017 г.
Описание планарных, силовых МОП-транзисторов с канавочной структурой и силовых МОП-транзисторов super-junction. Ноябрь 2016 г.
Описание абсолютных максимальных номинальных значений, теплового сопротивления и области надежной работы МОП-транзисторов. Ноябрь 2016 г.
Описание электротехнических характеристик в технических описаниях. Ноябрь 2016 г.
Рекомендации по выбору силовых МОП-транзисторов, описание температурных характеристик, влияния проводов и паразитных колебаний, устойчивости к лавинным процессам, демпфирующих цепей и т. д. Ноябрь 2016 г.

Каталог

Каталог
Название схема Дата выпуска
Описание линеек МОП-транзисторов. Сентябрь 2017 г.
Описание линеек мощных и малосигнальных МОП-транзисторов по видам корпусов. Март 2016 г.

Эталонный дизайн

Эталонный дизайн
Название Схема Дата выпуска
Общее описание источника питания, документация по конструкции, электронные файлы, которые можно импортировать в средства EDA, и обзор компонентов. Октябрь 2017 г.

Видео


Контакты

Если у вас возникли вопросы, перейдите по одной из этих ссылок:

Запрос на предоставление технической информации
Вопросы о покупке, образцах и надежности интегральных схем
To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.