Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Повышение эффективности солнечных панелей за счет использования передовых технологий изготовления МОП-транзисторов

Солнечная энергетика представляет собой достаточно крупную отрасль. По мере роста спроса на солнечные панели возникает растущая потребность в более компактных и эффективных электронных устройствах, позволяющих преобразовать и передать потребителю каждый милливатт солнечной энергии.

Инверторы фотоэлектрических систем преобразуют постоянный ток, вырабатываемый системой фотоэлектрических ячеек, в переменный ток с напряжением и частотой местной линии питания для подачи в единую энергосистему или для питания автономной сети. Также выпускаются микроинверторы для отдельных солнечных панелей, которые позволяют устранить нежелательное влияние снижения мощности отдельной панели (например, вызванного тенью или снегом) на работу всей батареи.

Разработчики инверторов нередко сталкиваются с противоречивыми требованиями повышения эффективности и снижения потерь при одновременном повышении компактности и надежности.

Мощные МОП-транзисторы обычно являются предпочтительными полупроводниковыми устройствами для коммутации солнечных панелей, поскольку они обеспечивают простое управление и эффективное переключение при высоких частотах. Номинальное напряжение обычно принимается равным 600 и 650 В, чтобы обеспечить достаточный запас для надежной работы с учетом высоких напряжений импульсных помех.

Силовые МОП-транзисторы содержат встроенные импульсные диоды. Для снижения потерь при переключении и повышения эффективности систем с учетом топологии цепей необходимы встроенные диоды с низким временем восстановления. Простой и наглядной характеристикой таких диодов служит время обратного восстановления (trr). Кроме того, выбор устройств с диодами, выполненными на кристалле МОП-транзистора, позволяет снизить количество необходимых компонентов, сэкономить пространство, упростить конструкцию и оптимизировать логистику.

В настоящее время доступен целый ряд МОП-транзисторов с интегрированными диодами с низким временем восстановления в различных корпусах. Время обратного восстановления (trr) таких устройств составляет всего 100 нс (по сравнению с 280 нс для стандартной версии), а сопротивление открытого канала RDS(ON) — всего 0,23 Ом.

Click here to download the whitepaper

To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.