Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Технология сборки высокоскоростной памяти

SoC с многоярусными чипами (SCS)

Столбиковые микровыводы из припоя образуют большое количество контактов для обмена данными между чипами, что помогает добиться высокой пропускной способности и низкого энергопотребления.

  • Большое число контактов: 625 выводов/мм2 (шаг 40 μм)
  • Малая емкость проводки: ≤ 0,4 пФ (проводное соединение: примерно 2,5 пФ)
  • DRAM 1 Гб x1024, DRAM 2 Гб x2048 2 Гб (массовое производство)
Структура кристалла

Структура кристалла

Пример применения: графический процессор SoC

Снижение энергопотребления на 60 % по сравнению с LDDR3
LPDDR3 SCS со специализированными DRAM
Общая мощность DRAM * [Вт] 3,84 1,50
Разрядность данных [бит/блок] 32 2048
Число DRAM 8 1
Скорость интерфейса [Мбит/с] 1600 200
Общая пропускная способность [ГБ/с] 50 50

* Без учета мощности SoC

Контакты

Если у вас возникли вопросы, перейдите по одной из этих ссылок:

Запрос на предоставление технической информации
Вопросы о покупке, образцах и надежности интегральных схем
To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.