Contact us

在新視窗打開 在新視窗打開

東芝推出實現業界最低插入損耗的智慧手機射頻開關SOI製程

November 20, 2015

採用新一代TaRF8工藝製造的樣品將於1月開始提供

TOSHIBA_TaRF8processSP12T

東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下半導體與存儲產品公司今日宣佈研發新一代TarfSOI™(東芝先進射頻的矽在絕緣體(SOI))製程—“TaRF8”,該製程針對射頻(RF)開關應用進行了優化,實現了業界最低[1]插入損耗[2]。採用新製程製造的SP12T[3]射頻開關IC針對於智慧手機,樣品將於2016年1月開始出貨。

SP12T為一款用於移動應用的傳輸射頻開關IC,其搭載集成MIPI-RFFE[4]控制器,適用於3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE和LTE-Advanced[5]標準。採用東芝新一代製程—東芝針對射頻開關進行了優化的專利SOI-CMOS[6] TarfSOI前端製程—TaRF8製造的產品實現了業界最低插入損耗(0.32db/2.7GHz)。與使用東芝當前TaRF6製程製造的產品相比,其插入損耗改善了0.1dB,同時保持相同水準的失真特性。

隨著移動通訊趨向于高速率、大容量資料傳輸,智慧手機等移動設備所使用的射頻開關IC需要多埠支援和更高的射頻性能。在這一點上,降低插入損耗是一個尤為重要的因素,因為它降低射頻傳輸功率損耗,可支援移動設備更長的電池續航時間。

東芝正在研發高性能射頻開關IC並利用其內部晶圓廠應用SOI-CMOS技術,SOI-CMOS技術適合於集成類比和數位電路。通過控制該生產流程的所有方面,從射頻製程技術開發到射頻開關晶片的設計和製造,東芝可以基於其自有的射頻開關IC產品的研發結果回饋並迅速改進SOI-CMOS製程技術。這種集成器件製造商(IDM)模式讓東芝能夠快速建立適合於實際產品的新工藝技術並將搭載最新製程技術製造的產品推向市場。

東芝將繼續改善其TarfSOI製程技術的性能並通過推出領先于其他製造商的尖端技術產品努力來滿足客戶和市場對射頻開關IC的需求。

TOSHIBA_TarfSOI_InsertionLoss
Fig.1 Insertion Loss Characteristics of SOI Process “TarfSOI™” for RF Switches

註解

[1]截至2015年11月20日,東芝針對射頻開關IC市場所調查。

[2] 當射頻信號通過射頻開關傳輸時發生的功率損耗,以分貝(dB)表示

[3] 單刀十二擲開關

[4] 一種適用於移動設備射頻元件控制的串列匯流排界面規範,由MIPI(移動通信行業處理器介面)聯盟的前端射頻(RFFE)工作組 標準化。

[5] 由3GPP(第三代合作夥伴計畫)規定的移動通信標準。

[6] 利用MOSFET溝道下的絕緣層來降低寄生電容的技術。SOI:矽在絕緣體

* TarfSOI是東芝公司的商標。

客戶查詢

Small Signal Device Sales & Marketing Department

Tel: +81-3-3457-3946

台灣地區

台灣東芝電子零組件股份有限公司

+886-2-25089988

Information in this document, including product prices and specifications, content of services and contact information, is current on the date of the announcement but is subject to change without prior notice.

To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.