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FFSA™

FFSA™是一種創新的定制型SoC開發平臺,它提供金屬可配置標準單元邏輯門、SRAM、高速SerDes協定和輸入/輸出緩衝器,能滿足不同客戶的需求。

產品陣容

我們為各個流程提供多個具有多協定高速SerDes的masterslices,能針對客戶要求提供最佳解決方案。

Process technology 130nm 65nm 40nm 28nm
The maximum gate number(*) 912Kgate 21Mgate 25Mgate 100Mgate
Maximum SRAM capacity 664Kbit 19Mbit 30Mbit 207Mbit
Maximum transceiver speed 12.5Gbps 28Gbps
Number of the maximum transceiver lanes 14 64
The number of maximum I/O pins 337 1110 720 928

(*) The number of gates available is a guideline. It differs with the application.

Catalogs

Toshiba FFSA™ Overview

FFSA™結構

上層金屬保留用於客制,其它層則適用所有客戶。這就可以提前準備好一定比例的元件掩膜,從而縮短了開發和生產時間,並使得大部分總體成本集中在各種定制化層面,相比於單一的ASIC開發大大降低了NRE(一次性工程費用)。
通過使用ASIC開發方法和單元庫,其績效和功耗水準近似於ASIC的績效和功耗。
而且,將客制化局限於少數幾個金屬層,我們就可以實現比ASIC(專用積體電路)更短的樣品生產和量產周轉時間。

FFSA™ structure

績效

FFSA™可執行頻率(SRAM:靜態隨機存取存儲)是相同製成節點FPGA(現場可程式設計閘陣列)的兩倍多。

Performance

Power consumption

FFSA™ can achieve 5 times the power efficiency compared with FPGA one process node ahead.

Power consumption

*The result varies depending on design and conditions.

FFSA™ 技術IP應用

FFSA™金屬配置技術作為IP應用於ASIC的開發。
這就是說,客戶能夠使用混合的高度優化的ASIC塊和金屬可配置FFSA™塊開發自己的原創masterslices,並且只需要更改金屬層即可重新使用該原創materslices開發各種變型,從而降低了總體NRE,實現了靈活的ASIC開發。

FFSA™ technology IP application

*本文所提及的所有其它公司的名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

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