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NAND介面: SmartNAND™

SmartNAND™產品增加了改錯碼(ECC)和其他功能,NAND快閃記憶體介面和物理位址的訪問保持不變。因此,主控制器端不需要再隨著NAND快閃記憶體不斷減小的制程工藝而一直提高自身的ECC能力。雖然主機控制器端仍需管理通通常的塊管理和損耗均衡,但是SmartNAND™消除了在控制器開發時由於要處理ECC而帶來的大量負擔。借助SmartNAND™解決方案,現有的主控端的(NAND)控制器可以使用最先進NAND快閃記憶體。另一方面,新的主機控制器在使用Legacy(SDR)介面外,更可以使用至ggle DDR1.0以實現更快的速度性能。

NAND_IF_SNAND_e_1

NAND管理如損耗均衡和壞塊管理等需由主機端負責。需要塊擦除(和原始NAND一樣)。

SmartNAND™產品列表
容量 器件型號 DQ
介面
頁大小
(Byte)
/CE信號 &
Ready/Busy信號
電源電壓 工作溫度
(℃)
封裝
VCC(V) VCCQ(V)
4 GByte THGBR2G5D1JTA00 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 48 pin TSOP
8 GByte THGBR2G6D1JTA00 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 48 pin TSOP
THGBR2G6D1JBA01 Legacy(SDR) 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 132 ball BGA
THGBT2G6D1JBA01 Toggle DDR1.0 16K 1 & 1 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 132 ball BGA
16 GByte THGBR2G7D2JBA01 Legacy(SDR) 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 132 ball BGA
THGBT2G7D2JBA01 Toggle DDR1.0 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 132 ball BGA
32 GByte THGBR2G8D4JBA01 Legacy(SDR) 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 132 ball BGA
THGBT2G8D4JBA01 Toggle DDR1.0 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 132 ball BGA
64 GByte THGBR2G9D8JBA01 Legacy(SDR) 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 132 ball BGA
THGBT2G9D8JBA01 Toggle DDR1.0 16K 2 & 2 2.7至3.6 2.7至3.6 ,
1.7至1.95
0至70 (備註) 132 ball BGA

(備註)如果需要工作溫度範圍在-40~85oC的產品,請聯絡你所在地的東芝業務。

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