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MOSFET Product lineup

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應用於開關電源的全新低電壓MOSFET系列的優點

Toshiba offers an extensive portfolio of low- to medium-VDSS MOSFETs in various packages ranging from ultra-small packages for small-signal applications to packages with a large current capacity for automotive applications. Toshiba has used each successive generation of trench-gate structures and fabrication processes to steadily reduce the drain-source on-resistance, RDS(ON), of its low-voltage power MOSFETs. In addition, Toshiba has continually optimized MOSFET cell structures to improve the trade-offs between drain-source on-resistance and charge characteristics, which are important figures of merit of MOSFETs for switching applications.

Lineups

Highlight

Latest U-MOSⅨ-H Series
The U-MOSⅨ-H series incorporates outstanding trench process and packaging technologies to provide the industry’s best-in-class performance.

Latest U-MOSⅨ-H Series

Feature

最新的溝槽MOS U-MOSVIII-H / U-MOSIX-H系列

Low-Voltage Drive and  Low On-Resistance
Packaging trends for 12V - 300V MOSFETs
Thermally Enhanced DSOP Advance Package
Packaging for Low On-Resistance
  • 最新U-MOSⅨ-H系列

    U-MOSⅨ-H系列專門設計用於同步整流應用,包括二次側隔離開關電源。它改進了Qoss*1性能,要知道該性能是同步整流功率損耗的原因之一。U-MOSⅨ-H系列相比於其他半導體供應商*2所提供的最新產品,其Ron•Qoss降低了27%,實現了導通電阻(Ron)和Qoss之間的平衡。因為Ron對於Qoss具有重要影響,東芝將通過採用超低Ron的MOSFET擴大U-MOSⅨ-H產品組合,以便補充U-MOSⅧ-H系列的產品陣容。

*1 Qoss: 輸出電荷(漏-源極電荷)

*2 當比較相同封裝的40-V MOSFET時(截止於2014年12月的東芝調查)

特徵

  • U-MOSⅧ-H系列

    U-MOSⅧ-H系列提供業內最廣泛的低導通電阻MOSFET產品組合,實現了低導通電阻和電容之間的最佳平衡。憑藉其快速操作的特性,U-MOSⅧ-H系列有助於降低開關損耗,這就實現了電源效率的增加。U-MOSⅧ-H
    系列可提供的VDSS為30至250V,且採用多種封裝形式,包括具有雙面冷卻功能的先進封裝。

功率MOSFET的封裝趨勢

東芝通過採用最新的小型工藝並改進封裝結構,努力降低MOSFET的導通電阻。東芝提供具有雙面冷卻功能的封裝,它具有一個裸露的頂部散熱器。該封裝能提供超低的通道至外殼熱阻(rthch-c),達0.93°C/W,從而簡化了熱設計。

  • 12-300V MOSFETs 封裝趨勢

    Packaging Trends for 12-300V MOSFETs

    東芝提供各種不同用途之包裝, 從小包裝(0.8x0.6mm)到高散熱封裝皆有

  • semi power的封裝特性

    Packaging feature for type of semi power

    當SOT-23F 及 SOT-23安裝面積相同時, SOT-23F的板上晶片能力高於SOT-23. 因此SOT-23F性能優於SOT-23.

  • Power MOSFETs 的封裝趨勢

    • 熱從上下表面同時散發
    • 上金屬板連接至源極
      (源極不能作為電極進行導電, 它用於散熱目的)
    • 與現有的SOP Advance具有相同封裝尺寸
      (SOP Advance 可以用新封裝替代且不需要修改現有的PCB版)

  • 大電流封裝

    • 由於銅板壓接增加電流密度與Ron
    • 大電流封裝的面積與通用封裝相等

    Packaging for high current

    High Current Type General Type
    TO-220SM(W) TO-220SM(D2PAK)
    DPAK+ New PW-Mold
    SOP Advance SOP-8

    TO-220SM(W)、DPAK+、SOP Advance

功率MOSFET的封裝趨勢

  • 熱量從上下表面同時散發。
  • 上金屬板連接至源極。(源極不能作為電極進行導電。它用於散熱目的。)
  • 與現有的SOP Advance具有相同的封裝尺寸。(SOP Advance可以用新封裝代替,而不需要修改現有的PCB布局。)

產品範圍

U-MOSⅧ-H和U-MOSⅨ-H系列相比於其它系列,可提供更廣泛的R(DS)ON和VDSS,從而能滿足各種應用需求。

推薦應用的配件

fig06_1
通信設備的電源

fig11_1
UPS

fig07
伺服器

fig12
液晶電視

fig08
臺式電腦

fig13_1
機械工具

fig09
適配器

fig14
印表機

fig10
LED 照明

fig15_1
電池組

文件

白皮書

應用手冊

目錄

U-MOSⅧ-H / U-MOSⅨ-H屬於高效能MOSFET系列,專門設計用於筆記型電腦適配器、遊戲控制台、伺服器、桌上型電腦、平板顯示器等AC-DC電源的二次側,也應用於通信設備、伺服器和資料中心的DC-DC電源。 U-MOSⅧ-H / U-MOSⅨ-H 結合了最新的第8代溝槽MOS製程,將有助於提高電源的效率。

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U-MOSⅧ-H / U-MOSⅨ-H 系列產品

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