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光半導體
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東芝提供非常適合應用于智慧功率模組(IPM)隔離介面的光耦。IPM驅動光耦具有開路集電極輸出、反相和同相的圖騰柱配置。因此,您可找到最適合您需求的光耦,可滿足驅動IPM的各種輸入配置(電平等級)。
最大工作溫度(Topr)為125°C的光耦
間隙/爬電距離 | 5 mm | 4 mm | 7或8mm* | 7或8mm* | 8 mm | |
---|---|---|---|---|---|---|
數據率 (典型值) |
輸出配置 | ![]() SO6 |
![]() SO8 |
![]() SDIP6 |
![]() DIP8 |
![]() SO6L |
1 Mbps | 開路集電極![]() |
TLP109(IGM)![]() |
TLP719 | TLP759(IGM) | ||
開路集電極![]() |
TLP104![]() |
TLP2404![]() |
TLP714![]() |
TLP754![]() |
TLP2704![]() |
|
5 Mbps | 圖騰柱 (緩衝器邏輯型) ![]() |
TLP2355![]() |
TLP2405 | TLP715 | TLP2955![]() |
|
圖騰柱 (逆變器邏輯型) ![]() |
TLP2358![]() |
TLP2408 | TLP718 | TLP2958![]() |
||
10 Mbps | 圖騰柱 (緩衝器邏輯型) ![]() |
TLP2345 | TLP2745 | |||
圖騰柱 (逆變器邏輯型) ![]() |
TLP2348 | TLP2748 |
* 可提供間隙和爬電距離為8mm的DIP8和SDIP6封裝。
欲訂購其他具有8mm保證間隙和爬電距離封裝的光耦,請在器件型號後添加尾碼F,例如:TLP754F
1.具有低電平和高電平IPM介面
市場上有售的IPM或有一個高電平控制輸入(當高電平時打開一個內部IGBT)也或者具有一個低電平控制輸入(當低電平時打開一個內部IGBT)。東芝提供的IPM驅動光耦,能為高電平IPM提供同相輸出(當LED輸入打開時產生高輸出)也能為低電平IPM 提供反相輸出(當LED輸入打開時產生低輸出)。您可以使用具有適當輸出配置的光耦對系統板進行改編以適合不同的IPM,而無需使用一個干擾逆變器IC。省略片上逆變器IC即可使得不同產品能共用相同的板設計。
2.保證共模抑制達20kV/µs
因為IPM控制輸入會隨著dv/dt的大小而變,所以用於直接驅動的光耦要求共模抑制高於10kV/µs。在輸入和輸出電壓間增加遮罩和將電流接地可改進光耦的共模抑制。
為提供高於10kV/µs的共模抑制,東芝的多數IPM驅動光耦在光電探測器晶片中有一個遮罩層。這些光耦非常適合應用於IPM控制信號的介面。特別是TLP2355和TLP2358,能提供高達20kV/µs的共模抑制。
3.傳播延遲變化
因為IPM驅動光耦傳輸PWM信號,所以它們應盡可能快速地進行開關,通常的傳播延遲時間(tpHL/tpLH)小於800ns。TLP104能提供的傳播延遲時間為550ns或更少,而TLP2358能提供的傳播延遲時間為250ns或更少。另外,TLP2358可保證tpLH tpHL差最多為70ns,傳播延遲偏移(不同器件之間)Tpsk最多為±130ns。這有助於提高PWM信號傳輸的準確性。
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