什么是反向导通IGBT(RC-IGBT)?

反向导通IGBT(RC-IGBT)在单个芯片上集成了IGBT和续流二极管(FWD)。在许多IGBT应用中,有一种续流电流可从发射极流向集电极的模式。对于这种续流操作,续流二极管与IGBT反向并联连接。图(b)显示了RC-IGBT的内部结构示例。集电极中的P区的一部分被N区所取代,与发射极中的P区形成PIN二极管(*1)(P-N--P)。如图(a)所示,该PIN二极管像图(a)中所示的续流二极管(FWD)一样与IGBT反向并联连接,并用作FWD。目前,除了电压谐振,RC-IGBT还可用于硬开关领域。

 (*1)PIN二极管是P区与N区之间具有高电阻本征(I)半导体区域的二极管。由于掺杂浓度低,本征区具有与本征半导体接近的高电阻。需要高耐压的IGBT中的FWD具有这种结构。。

(a)IGBT+FWD
(a)IGBT+FWD
(b) RC-IGBT的内部结构示例
(b) RC-IGBT的内部结构示例
在新窗口打开