東芝推出用於電壓諧振電路的新型分立IGBT
December 23, 2019
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出一款1350V分立式絕緣閘雙極型電晶體(IGBT) - GT20N135SRA，適用於檯面式電磁感應加熱(IH)調理爐、IH電子鍋、微波爐及其他家用電器的電壓諧振電路。即日起出貨。
GT20N135SRA的集極-射極飽和電壓[1]為1.75V，二極體順向電壓[2]為1.8V，分別比目前產品[3]低約10%和21%。IGBT和二極體在高溫(TC=100℃)下均具有改善導通損耗特性，新型IGBT可幫助降低設備功耗。還具有0.48℃/W（最大值）的晶片到外殼熱阻，也比目前產品[3]低約26%，進而簡化熱設計。
新款IGBT可抑制設備開啟時流過諧振電容器的短路電流。其電路電流[4]峰值為129A，比目前產品[3]降低約31%。隨著安全操作範圍的擴大，與當前產品[3]相比，它讓設備設計變得更加輕鬆。
應用
家電產品 (例如 IH爐, IH電子鍋及微波爐 烤箱)
產品特點
- 低傳導損耗：
V CE（飽和）= 1.6V（典型值）（IC = 20A、VGE = 15V、Ta = 25℃時）
VF = 1.75V（典型值）（IF = 20A、VGE = 0V、Ta = 25℃時） - 低晶片到外殼熱阻：Rth（結到外殼）= 0.48℃/W（最大值）
- 抑制設備開啟時流過諧振電容器的短路電流
- 廣泛的安全操作範圍
產品規格
(Unless otherwise specified, @Ta=25 °C)
Part Number |
Package |
Absolute maximum ratings |
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) typ. @IC＝20A、 VGE=15V (V) |
Diode forward voltage VF typ. @IF=20A, VGE=0V （Ｖ） |
Switching time (fall time) tf typ. ＠Resistive load (μs) |
Junction-to-case thermal resistance Rth(j-C) max (℃/W) |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Collector-emitter voltage VCES (V) |
Collector current (DC) IＣ @TC=25℃ (A) |
Collector current (DC) IＣ @TC=100℃ (A) |
Junction temperature Tj (℃) |
||||||
TO-247 |
1350 |
40 |
20 |
175 |
1.60 |
1.75 |
0.25 |
0.48 |
|
注釋：
[1] 截至2019年6月，東芝測得值。（測試條件：IC = 20A，VGE = 15V，TC = 100℃）
[2] 截至2019年6月，東芝測得值。（測試條件：IF = 20A，VGE = 0V，TC = 100℃）
[3] 東芝的當前產品GT40RR21
[4] 截至2019年6月，東芝測得值。（測試條件：VCC = 300V，VGG = 15V，C =0.33μF，t =5μs，Ta = 25℃）
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