東芝推出適用於5G智慧手機的射頻開關和低雜訊放大器IC
February 27, 2020
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）研發出最先進的RF SOI工藝（TarfSOI™） [1 ] ，適用於5G智慧手機等移動式設備的“ TaRF11” 射頻開關和低雜訊放大器IC（LNA）。
近年來，智慧型手機和其他移動式設備的性能有所提高，在5G時代，需要更高的無線頻段頻率。但通常頻率越高，天線與接收電路之間的信號損耗就越大，因此需要具有增強特性的LNA，以通過補償信號損耗來改善接收信號品質。
東芝新推出的TaRF11，改善了目前SOI工藝技術TaRF10的射頻特性。TaRF11工藝的LNA ，其MOSFET在8GHz時的最小雜訊指數（NF [2]）為0.48dB，比TaRF10降低0.3dB [3]。與現有產品相同，TaRF11可以將LNA、射頻開關和控制電路集成到單個晶片上。
東芝在子公司Japan Semiconductor Corporation採用最新的SOI-CMOS技術，從RF射頻工藝技術研發、設計和製造的整套生產流程，可確保產品快速上市。
東芝也將繼續推廣TarfSOI™工藝技術及產品性能改善，提供Wi-Fi設備、或是預計從5GHz擴展到7GHz頻段的5G手機、以及使用7GHz至10GHz頻率的超寬頻應用，更先進的射頻開關和低雜訊放大器IC (LNA)。
應用
- 智慧型手機
- 無線設備，如Wi-Fi和UWB等
產品特點
- 優異的雜訊係數：:
NF=0.48dB（最小值）@8GHz（與TaRF10相比，提高了約0.3dB） - LNA、射頻開關和控制電路可以集成到單個晶片上。
- 集最新的半導體工藝開發和產品於一體，可儘早推出高頻開關產品。
產品規格
Frequency (GHz) |
Minimum NF of MOSFET for LNA (dB) |
|
|---|---|---|
TaRF11 |
TaRF10 |
|
8.0 |
0.48 |
0.79 |
6.0 |
0.44 |
0.69 |
4.0 |
0.40 |
0.50 |
注：
[1] TarfSOI（東芝先進射頻SOI）：TarfSOI是SOI-CMOS（絕緣體上互補金屬氧化物半導體），這是東芝針對射頻開關IC和低雜訊放大器IC開發的前端處理技術。
[2] NF（雜訊係數）：放大電路輸入端和輸出端的信噪比。較低的值表示較少的噪音和優越的特性。
[3] 在4GHz時提高約0.1dB，在6GHz時提高約0.25dB。
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* TarfSOI™ is a trademark of Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.
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