Toshiba發布有助於提高電源效率的600V超接合結構N溝道功率MOSFET

·       2023年05月23日

東芝電子元件及存儲裝置株式會社

Toshiba Releases 600V Super Junction Structure N-Channel Power MOSFET that Helps to Improve Efficiency of Power Supplies

日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)擴大了其採用最新一代製程製造的N溝道功率MOSFET產品線[1],該產品採用適合資料中心、開關電源和太陽光電發電機功率調節器的600V超接合結構。新產品TK055U60Z1是DTMOSVI系列中的首款600V產品,自即日起開始出貨。

透過最佳化閘極設計和製程,與具有相同漏源電壓額定值的Toshiba當前一代DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品單位面積漏源導通電阻降低約13%,MOSFET性能品質因數漏源導通電阻×閘漏電荷約降低52%,從而確保該系列同時實現低導通損耗和低開關損耗,有助於提高開關電源的效率。

新產品採用TOLL封裝,可實現其閘極驅動的信號源端子開爾文連接。封裝中源極線中電感的影響得以降低,從而增強MOSFET的高速開關性能,抑制開關期間的振盪。

Toshiba將繼續擴大其600V DTMOSVI系列產品陣容,及其已經發布的650V DTMOSVI系列產品,並透過降低開關電源的功率損耗來支持節能。

注:
[1] 截至2023年6月。

Fig.1 Comparison of drain-source On-resistance and gate-drain charge
Fig.1 Comparison of drain-source On-resistance and gate-drain charge

應用

  • 資料中心(伺服器用開關電源等)
  • 太陽光電發電機功率調節器
  • 不斷電系統

特點

  • 實現低漏源導通電阻×閘漏電荷,並實現高效率開關電源

主要規格

( 除非另有說明,Ta=25°C )

零件編號 TK055U60Z1

絕對最大

額定值

漏源電壓 VDSS (V) 600
漏極電流 (DC) ID (A) 40
溝道溫度Tch (°C) 150
電氣特性 漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ) VGS=10V 最大值 55
總閘極電荷 Qg (nC) 典型值 65
閘極漏極電荷 Qgd (nC) 典型值 15
輸入電容 Ciss (pF) 典型值 3680
封裝 名稱 TOLL
尺寸 (mm) 典型值 9.9×11.68, t=2.3
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