有助於高壓直流傳輸系統和工業馬達驅動逆變器等工業設備的小型化和高效率化的新型壓裝IEGT
2021年12月產品新聞
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（"東芝"）已開始量產壓裝式注入增強型閘極晶體管（IEGT）"ST2000GXH32"，這款晶體管採用溝槽型IEGT晶片和新開發的用於高壓轉換器的高速二極體晶片。 產品集極-射極電壓額定值為4500V，集極電流（DC）額定值為2000A。
二極體的陰極結構抑制反向恢復過程中的電壓振蕩，提高反向恢復容限。 新開發的電壓阻斷結構提高二極管高溫耐壓能力。 與東芝現有產品[1]相比，新產品ST2000GXH32可抑制小反向恢復電流時的電壓振蕩，因此可使用小型閘極驅動電阻（RG（on）），導通損耗[2][3]（Eon）從12.0J下降至8.4J（典型值），大約降低30%。 此外，改進後的陰極反向恢復峰值功率提高約29%。 同時，由於提升了二極體耐高溫性，ST2000GXH32結溫 額定值（Tj）從125°C提高到150°C （最大值）。 ST2000GXH32適用於直流電力傳輸、靜態虛功（VAR） 補償器、馬達驅動逆變器和轉換器等高壓工業設備小型化和節能。
注:
[1] ST2000GXH31
[2] ST2000GXH31 條件 : VCC=2800 V, IC=2000 A, RG(on)=5.6 Ω, LS≈300 nH, Tj = 125 °C
[3] ST2000GXH32 條件: VCC=2800 V, IC=2000 A, RG(on)=3.6 Ω, LS≈300 nH, Tj = 150 °C
應用
- 直流電力傳輸
- 靜態虛功補償器
- 工業馬達驅動
特性
- 低導通損耗：
- Eon（典型值）＝8.4J（@VCC＝2800V，IC＝2000A，RG(on)＝3.6Ω，LS≈300nH，Tj＝150℃）
- 寬反向恢復安全操作區
- 最大結溫額定值：Tj（最大值）=150°C
主要規格
(除非另有說明，@Tc=25 °C)
| 器件型號 | ST2000GXH32 | ||
|---|---|---|---|
| 封裝 | PPI125A2 | ||
| 絕對最大額定值 | 集極-射極電壓 VCES (V) | 4500 | |
| 閘極- 射極電壓 VGES (V) | ±20 | ||
集極電流 (DC) IC (A) |
@Tf=101 °C | 2000 | |
| 二極體順向電流(DC) IF (A) | @Tf=64 °C | 2000 | |
| 結溫 Tj (°C) | -40 至 150 | ||
| 電氣特性 | 壓VCE(sat) 典型值(V) | @VGE=15 V, IC=2000 A, Tj=150 °C |
2.70 |
| 順向電壓 VF 典型值 (V) | @IF=2000 A, Tj=150 °C | 2.80 | |
導通損耗 Eon 典型值 (J) |
@VCC=2800 V, IC=2000 A, RG(on)=3.6 Ω, LS≈300 nH, Tj=150 °C |
8.4 | |
| 關斷損耗 Eoff 典型值 (J) | @VCC=2800 V, IC=2000 A, RG(off)=56 Ω, LS≈300 nH, Tj=150 °C |
13.2 | |
| 反向恢復損耗 loss Err 典型值 (J) |
@VCC=2800 V, IF=2000 A, RG(on)=3.6 Ω, LS≈300 nH, Tj=150 °C |
3.5 | |
内部電路
應用電路示例
注：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。
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