直流送電システム、産業用モータードライブ装置などの高電圧変換機の小型化/省電力化に貢献する圧接型IEGT
製品情報 2021-12
当社は、高電圧変換機向けにトレンチ型Injection Enhanced Gate Transistor(IEGT)チップと新開発した高速ダイオードチップを搭載した圧接型IEGT「ST2000GXH32」を製品化しました。コレクター・エミッター間電圧定格は4500 V、コレクター電流(DC)定格は2000 Aです。
新開発した高速ダイオードは、逆回復時の電圧振動抑制と逆回復耐量を向上させることが可能なカソード構造と高温対応可能な耐圧構造を採用しました。これにより、新製品ST2000GXH32は当社既存製品[注１]と比べて、低電流時の電圧振動を抑制し、小さなゲート駆動抵抗(RG(on))を使用することが可能となり、ターンオンスイッチング損失(Eon)[注2][注3]が標準12.0 Jから8.4 Jへ約30 %低減しました。また、ダイオードの逆回復破壊耐量が向上したことにより、逆回復安全動作領域のピークパワーを約29 %拡大できました。さらに、高温対応が可能になったことにより、接合温度定格(Tj)を最大125 °Cから150 °Cに向上しました。
ST2000GXH32は、直流送電システム、静止型無効電力補償装置、産業用モータードライブ装置などの高電圧変換機の小型化、省電力化に貢献します。
[注1] ST2000GXH31
[注2] ST2000GXH31の測定条件：VCC=2800 V、IC=2000 A、RG(on)=5.6 Ω、LS≈300 nH、Tj=125 ℃
[注3] ST2000GXH32の測定条件：VCC=2800 V、IC=2000 A、RG(on)=3.6 Ω、LS≈300 nH、Tj=150 ℃
応用機器
- 直流送電システム
- 静止型無効電力補償装置
- 産業用モータードライブ装置
新製品の主な特長
- 低ターンオンスイッチング損失：
Eon(typ.)=8.4 J (@VCC=2800 V、IC=2000 A、RG(on)=3.6 Ω、LS≈300 nH、Tj=150 °C) - 広い逆回復安全動作領域
- 最大接合温度定格：Tj(max)=150 °C
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Tc=25 °C)
| 品番 | ST2000GXH32 | ||
|---|---|---|---|
| パッケージ | PPI125A2 | ||
| 絶対最大定格 | コレクター·エミッター間電圧 VCES (V) | 4500 | |
| ゲート·エミッター間電圧 VGES (V) | ±20 | ||
| コレクター電流 (DC) IC (A) | @Tf=101 °C | 2000 | |
| ダイオード順電流 (DC) IF (A) | @Tf=64 °C | 2000 | |
| 接合温度 Tj (°C) | −40～150 | ||
| 電気的特性 | コレクター·エミッター間飽和電圧 VCE(sat) typ. (V) |
@VGE=15 V、IC=2000 A、 Tj=150 °C |
2.70 |
| 順電圧 VF typ. (V) | @IF=2000 A、Tj=150 °C | 2.80 | |
| ターンオンスイッチング損失 Eon typ. (J) |
@VCC=2800 V、IC=2000 A、 RG(on)=3.6 Ω、LS≈300 nH、 Tj=150 °C |
8.4 | |
| ターンオフスイッチング損失 Eoff typ. (J) |
@VCC=2800 V、IC=2000 A、 RG(off)=56 Ω、LS≈300 nH、 Tj=150 °C |
13.2 | |
| 逆回復損失 Err typ. (J) | @VCC=2800 V、IF=2000 A、 RG(on)=3.6 Ω、LS≈300 nH、 Tj=150 °C |
3.5 | |
内部回路構成図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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