型號需要超過三個文字以上
About information presented in this cross reference
The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.
TOSHIBA is not responsible for any incorrect or incomplete information. Information is subject to change at any time without notice.
產品新聞 2021年9月
東芝電子元件及存儲裝置株式會社("東芝")推出了30V產品"SSM6K818R",N通道MOSFET適用於大燈控制開關等的汽車設備,以擴大其產品線。
新產品以行業領先[1]低導通電阻為特點,採用我們的新工藝。並且使用扁平引腳封裝擴展了晶片安裝能力,降低了熱阻。因此,該產品的功率耗散等級為1.5W,採用小型 TSOP6F 套件,有助於降低設備的功耗。此外,TSOP6F 封裝與功率耗散等級相似的 SOP-8 封裝相比,縮減了約 70% 的安裝面積,有助於縮小設備尺寸。此外,它們符合 AEC-Q101,允許用於各種用途,包括汽車應用,如大燈控制開關、燈控開關和用於 USB 送電的負載開關。
另有40V產品SSM6K804R[2]將批量生產。
注:
[1] 與 TSOP6F 類包裝產品相比,最高評級相同,根據東芝的調查(截至 2021 年 7 月)
[2] 大規模生產將於 2021 年 10 月(截至 2021 年 9 月)按計劃開始
(@Ta=25 °C)
器件型號 |
極性 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電器特性 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
名稱 |
尺寸 典型值 (mm) |
汲源極電壓 VDSS (V) |
閘電源電壓 VGSS (V) |
汲極電流 (DC) ID (A) |
功率消耗 PD (W) |
汲源極導通電阻 RDS(ON) max (mΩ) |
輸入功率電容 Ciss 典型值 (pF) |
閘極電荷總量 Qg 典型值 (nC) |
||
at VGS= 4.5 V |
||||||||||
SSM6K818R | N-通道 |
TSOP6F |
2.9×2.8 ×0.8 |
30 |
±20 |
15 |
1.5 |
12 |
1130 |
7.5 |
SSM6K804R[2] | 40 |
±20 |
12 |
1.5 |
18 |
1110 |
7.5 |
|||
SSM6K809R[3] | 60 |
±20 |
6 |
1.5 |
51 |
550 |
9.3 |
|||
SSM6K810R[3] | 100 |
±20 |
3.5 |
1.5 |
92 |
430 |
3.2 |
|||
SSM6K819R[3] | 100 |
±20 |
10 |
1.5 |
36.4 |
1110 |
8.5 |
注:
[3] 現有產品
注 :
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。
*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊,在公告之日仍為最新資訊,如有變更,恕不另行通知。