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以低導通電阻有助於降低功耗的車用小型MOSFET產品線擴展
產品新聞 2021年9月
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（"東芝"）推出了30V產品"SSM6K818R"，N通道MOSFET適用於大燈控制開關等的汽車設備，以擴大其產品線。
新產品以行業領先[1]低導通電阻為特點，採用我們的新工藝。並且使用扁平引腳封裝擴展了晶片安裝能力，降低了熱阻。因此，該產品的功率耗散等級為1.5W，採用小型 TSOP6F 套件，有助於降低設備的功耗。此外，TSOP6F 封裝與功率耗散等級相似的 SOP-8 封裝相比，縮減了約 70% 的安裝面積，有助於縮小設備尺寸。此外，它們符合 AEC-Q101，允許用於各種用途，包括汽車應用，如大燈控制開關、燈控開關和用於 USB 送電的負載開關。
另有40V產品SSM6K804R[2]將批量生產。
注：
[1] 與 TSOP6F 類包裝產品相比，最高評級相同，根據東芝的調查（截至 2021 年 7 月）
[2] 大規模生產將於 2021 年 10 月（截至 2021 年 9 月）按計劃開始
應用
- 汽車設備（大燈、轉向燈、日間運行燈、USB 充電器等）
特性
- 降低功耗與行業領先的[1] 低導通電阻：RDS(ON)=12 mohm (最大值) 在 VGS=4.5 V (SSM6K818R)
- 藉由降低熱阻，採用TSOP6F封裝的功率耗散額定值為1.5W
- 符合AEC-Q101 標準
產品規格
(@Ta=25 °C)
器件型號 |
極性 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電器特性 |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
名稱 |
尺寸 典型值 (mm) |
汲源極電壓 VDSS (V) |
閘電源電壓 VGSS (V) |
汲極電流 (DC) ID (A) |
功率消耗 PD (W) |
汲源極導通電阻 RDS(ON) max (mΩ) |
輸入功率電容 Ciss 典型值 (pF) |
閘極電荷總量 Qg 典型值 (nC) |
||
at VGS= 4.5 V |
||||||||||
| SSM6K818R | N-通道 |
TSOP6F |
2.9×2.8 ×0.8 |
30 |
±20 |
15 |
1.5 |
12 |
1130 |
7.5 |
| SSM6K804R[2] | 40 |
±20 |
12 |
1.5 |
18 |
1110 |
7.5 |
|||
| SSM6K809R[3] | 60 |
±20 |
6 |
1.5 |
51 |
550 |
9.3 |
|||
| SSM6K810R[3] | 100 |
±20 |
3.5 |
1.5 |
92 |
430 |
3.2 |
|||
| SSM6K819R[3] | 100 |
±20 |
10 |
1.5 |
36.4 |
1110 |
8.5 |
|||
注:
[3] 現有產品
內部電路
應用電路示例
注 :
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。
*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊，在公告之日仍為最新資訊，如有變更，恕不另行通知。
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