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以低導通電阻有助於降低功耗的車用小型MOSFET產品線擴展

產品新聞 2021年9月

The package photograph of Lineup expansion of small MOSFETs for automotive equipment that help reduce power consumption with low On-resistance : SSM6K818R.

東芝電子元件及存儲裝置株式會社("東芝")推出了30V產品"SSM6K818R",N通道MOSFET適用於大燈控制開關等的汽車設備,以擴大其產品線。

新產品以行業領先[1]低導通電阻為特點,採用我們的新工藝。並且使用扁平引腳封裝擴展了晶片安裝能力,降低了熱阻。因此,該產品的功率耗散等級為1.5W,採用小型 TSOP6F 套件,有助於降低設備的功耗。此外,TSOP6F 封裝與功率耗散等級相似的 SOP-8 封裝相比,縮減了約 70% 的安裝面積,有助於縮小設備尺寸。此外,它們符合 AEC-Q101,允許用於各種用途,包括汽車應用,如大燈控制開關、燈控開關和用於 USB 送電的負載開關。

另有40V產品SSM6K804R[2]將批量生產。

注:

[1] 與 TSOP6F 類包裝產品相比,最高評級相同,根據東芝的調查(截至 2021 年 7 月)

[2] 大規模生產將於 2021 年 10 月(截至 2021 年 9 月)按計劃開始

 

應用

  • 汽車設備(大燈、轉向燈、日間運行燈、USB 充電器等)

特性

  • 降低功耗與行業領先的[1] 低導通電阻:RDS(ON)=12 mohm (最大值) 在 VGS=4.5 V (SSM6K818R)
  • 藉由降低熱阻,採用TSOP6F封裝的功率耗散額定值為1.5W
  • 符合AEC-Q101 標準

 

產品規格

(@Ta=25 °C)

器件型號

極性

封裝

絕對最大額定值

電器特性

名稱

尺寸

典型值

(mm)

汲源極電壓

VDSS

(V)

閘電源電壓

VGSS

(V)

汲極電流

(DC)

ID

(A)

功率消耗

PD

(W)

汲源極導通電阻

RDS(ON)

max

(mΩ)

輸入功率電容

Ciss

典型值

(pF)

閘極電荷總量

Qg

典型值

(nC)

at VGS=

4.5 V

SSM6K818R

N-通道

TSOP6F

2.9×2.8

×0.8

30

±20

15

1.5

12

1130

7.5

SSM6K804R[2]

40

±20

12

1.5

18

1110

7.5

SSM6K809R[3]

60

±20

6

1.5

51

550

9.3

SSM6K810R[3]

100

±20

3.5

1.5

92

430

3.2

SSM6K819R[3]

100

±20

10

1.5

36.4

1110

8.5

注:

[3] 現有產品

內部電路

The illustration of internal circuits of lineup expansion of small MOSFETs for automotive equipment that help reduce power consumption with low On-resistance:SSM6K818R,SSM6K804R

應用電路示例

The illustration of application circuit examples of lineup expansion of small MOSFETs for automotive equipment that help reduce power consumption with low On-resistance:SSM6K818R,SSM6K804R

注 :

本文所示應用電路僅供參考。

需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。

提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。

 

*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊,在公告之日仍為最新資訊,如有變更,恕不另行通知。

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