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低オン抵抗で低消費電力化に貢献する車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充

製品情報 2021-09

これは、低オン抵抗で低消費電力化に貢献する車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充 : SSM6K818Rの製品写真です

当社は、車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチに適した車載機器向け30 V耐圧NチャネルMOSFET「SSM6K818R」を製品化し、ラインアップを拡充しました。

新製品は、新プロセスの採用により業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現しています。また、フラットリードによりチップ搭載能力を拡大し、熱抵抗を削減しました。これにより、小型TSOP6Fパッケージで許容損失定格1.5 Wを実現し、機器の低消費電力化に貢献します。さらに、TSOP6Fパッケージは、同等許容損失定格のSOP-8パッケージと比べて実装面積を約70 %削減し、機器の小型化に貢献します。そのうえ、AEC-Q101に適合しており、車載ヘッドランプの点灯制御用スイッチや調光用スイッチ、USB給電のロードスイッチなど、車載を含むさまざまな用途で使用可能です。

40 V耐圧のSSM6K804R[注2]の製品化も予定しています。

[注1] TSOP6Fクラスパッケージ、同耐圧の製品で。当社調べ (2021年7月時点) によるものです。
[注2] 2021年10月製品化予定 (2021年9月時点)

応用機器

  • 車載機器 (ヘッドランプ、ターンランプ、デイタイムランニングライト、USB給電など)

新製品の主な特長

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗により消費電力を削減 :
    RDS(ON)=12 mΩ (max) at VGS=4.5 V (SSM6K818R)
  • 熱抵抗を低減し、TSOP6Fパッケージで許容損失定格1.5 Wを実現
  • AEC-Q101適合

新製品の主な仕様

(@Ta=25 °C)

品番

極性

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

名称

サイズ

typ.

(mm)

ドレイン・

ソース間

電圧

VDSS

(V)

ゲート・

ソース間

電圧

VGSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

許容

損失

PD

(W)

ドレイン・

ソース間

オン抵抗

RDS(ON)

max

(mΩ)

入力

容量

Ciss

typ.

(pF)

ゲート

入力

電荷量

Qg

typ.

(nC)

at VGS=

4.5 V

SSM6K818R

Nチャネル

TSOP6F

2.9×2.8×0.8

30

±20

15

1.5

12

1130

7.5

SSM6K804R[注2]

40

±20

12

1.5

18

1110

7.5

SSM6K809R[注3]

60

±20

6

1.5

51

550

9.3

SSM6K810R[注3]

100

±20

3.5

1.5

92

430

3.2

SSM6K819R[注3]

100

±20

10

1.5

36.4

1110

8.5

[注3] 既存製品

端子配置図

これは、低オン抵抗で低消費電力化に貢献する車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充:SSM6K818R、SSM6K804Rの端子配置図です。

応用回路例

これは、低オン抵抗で低消費電力化に貢献する車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充:SSM6K818R、SSM6K804Rの応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

* 本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。