東芝採用新世代製程擴展150V N通道MOSFET產品線 - 藉此提高電源供應器的效率
產品新聞2023年02月
東芝電子零組件股份有限公司（ “東芝” ）今日宣布推出採用新世代製程“U-MOS X-H系列”，擴展了150V N通道MOSFET的產品線。該系列產品適用於通信設備電源等應用。TPH1400CQH的RDS(on)為14.1ｍΩ，TPN4800CQH的RDS(on)為48ｍΩ。兩款產品皆為貼片封裝。
與前一世代的U-MOS VIII-H系列150V產品相比，新產品降低了導通電阻RDS(on)。藉由優化元件結構改善了RDS(on)與輸出電荷之間的平衡度[1] ，並且具有領先業界[2]的低功耗。除此之外，產品還降低了VDS Spike，有助於減少電源供應器的電磁干擾（ EMI ）。
注：
[ 1] 降低RDS(on)（typ.）× 輸出電荷（typ.），此為開關切換時的性能指數。
TPH1400CQH ：與現有產品TPH1500CNH （ U-MOS VIII-H系列）相比下降約41% 。
TPN4800CQH ：與現有產品TPN5900CNH （ U-MOS VIII-H系列）相比下降約20%
[ 2] 根據東芝調查，在具有相同額定值的產品中進行比較（截至2023年1月）。
應用
- 通信設備電源
- 開關電源（高效DC-DC轉換器等）
特性
- 具有領先業界的低功耗特性[2] 。
（改善RDS(on)與輸出電荷之間的平衡度） - 低導通電阻：
TPH1400CQH R DS(ON) ＝14.1mΩ（max）( V GS ＝10V）
TPN4800CQH R DS(ON) ＝48mΩ（max）(V GS ＝10V）
- 能承受高溫：T ch （最大值）＝175°C
主要規格
(除非另有說明， Ta=25 °C)
元件型號 |
|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
系列 |
U-MOSⅩ-H |
||||||
絕對最大額定值 |
Drain-source 電壓 VDSS (V) |
150 |
|||||
Channel temperature Tch (°C) |
175 |
||||||
Drain 電流 (DC) ID (A) |
Tc=25 °C |
64 |
32 |
18 |
|||
Drain-source 導通電阻 RDS(ON) (mΩ) |
VGS= 10 V |
最大值 | 9.0 |
14.1 |
48 |
||
VGS= 8 V |
最大值 | 11 |
17.3 |
59 |
|||
Gate電荷總量 (gate-source plus gate-drain) Qg (nC) |
VGS= 10 V |
典型值 | 44 |
31 |
11 |
||
Gate 開關電荷 Qsw (nC) |
典型值 | 11.7 |
8.5 |
3.3 |
|||
輸出電荷 Qoss (nC) |
典型值 | 87 |
56 |
21 |
|||
輸入電容 Ciss (pF) |
典型值 | 3500 |
2400 |
800 |
|||
封裝名稱 |
SOP Advance |
SOP Advance(N) |
SOP Advance(N) |
TSON Advance |
|||
封裝尺寸 (mm) |
典型值 | 5.0 × 6.0 |
4.9 × 6.1 |
4.9 × 6.1 |
3.3 × 3.3 |
||
注：
[ 3]之前發布的產品
Pin腳定義
應用電路範例
注：
本文所示應用電路僅供參考。
特別是在量產設計階段，需要進行全面評估。
上述應用電路範例並不授予任何工業產權許可。
*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等訊息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。