電源の高効率化に貢献する新世代プロセスを採用した150 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充
製品情報 2023-02
当社は、通信機器などの産業用機器のスイッチング電源に適した新世代プロセス「U-MOSⅩ-Hシリーズ」を採用した150 V耐圧NチャネルパワーMOSFETに新たな２品種を追加し、ラインアップを拡充しました。表面実装タイプパッケージで、ドレイン･ソース間オン抵抗 (max)が14.1 ｍΩの「TPH1400CQH」と48 mΩの「TPN4800CQH」です。
新製品は、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hシリーズの150 V耐圧製品と比べてドレイン·ソース間オン抵抗を低減しました。
また、素子構造の最適化により、ドレイン･ソース間オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善[注１]し、業界トップクラス[注2]の低損失を実現しました。さらに、スイッチング時にドレイン･ソース間に発生するスパイク電圧を低減し、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。
[注１] スイッチング用途時の性能指数となる ドレイン･ソース間オン抵抗 (typ.) × 出力電荷量 (typ.) を低減。
TPH1400CQHの場合、既存製品TPH1500CNH (U-MOSVIII-Hシリーズ) と比べて約41 %低減。
TPN4800CQHの場合、既存製品TPN5900CNH (U-MOSVIII-Hシリーズ) と比べて約20 %低減。
[注２] 同定格の製品で、当社調べ (2023年1月時点) 。
応用機器
- 通信機器用電源
- スイッチング電源 (高効率DC-DCコンバーターなど)
新製品の主な特長
- 業界トップクラス[注２]の低損失を実現 (オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善)
- 低オン抵抗 :
TPH1400CQH RDS(ON)=14.1 mΩ (max) (VGS=10 V)
TPN4800CQH RDS(ON)=48 mΩ (max) (VGS=10 V) - チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25 °C)
品番 |
|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
シリーズ |
U-MOSⅩ-H |
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絶対 最大 定格 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
150 |
|||||
チャネル温度 Tch (°C) |
175 |
||||||
ドレイン電流 (DC) ID (A) |
Tc= 25 °C |
64 |
32 |
18 |
|||
ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) |
VGS= 10 V |
max | 9.0 |
14.1 |
48 |
||
VGS= 8 V |
max | 11 |
17.3 |
59 |
|||
ゲート入力電荷量 Qg (nC) |
VGS= 10 V |
typ. | 44 |
31 |
11 |
||
ゲートスイッチ電荷量 Qsw (nC) |
typ. | 11.7 |
8.5 |
3.3 |
|||
出力電荷量 Qoss (nC) |
typ. | 87 |
56 |
21 |
|||
入力容量 Ciss (pF) |
typ. | 3500 |
2400 |
800 |
|||
パッケージ名称 |
SOP Advance |
SOP Advance(N) |
SOP Advance(N) |
TSON Advance |
|||
パッケージサイズ (mm) |
typ. | 5.0 × 6.0 |
4.9 × 6.1 |
4.9 × 6.1 |
3.3 × 3.3 |
||
[注3] 先行リリース品
端子配置図
応用回路例
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