採用L-TOGL™封裝,支持大電流和高散熱的80V / 100V車載N溝道功率MOSFET的產品線擴展

產品新聞2023年6月

The package photograph of lineup expansion of 80 V/100 V automotive N-channel power MOSFETs that use L-TOGL™ package supporting large currents with high heat dissipation.

東芝電子元件及存儲裝置株式會社( “東芝” )推出兩款採用L-TOGL™封裝的車載N溝道功率MOSFET產品,滿足汽車設備對48V電池日益增長的需求。這兩款產品分別是80V “XPQR8308QB”和100 V “XPQ1R00AQB” 。

用於輕型電動汽車和ISG的逆變器、電池管理系統和接線盒的負載開關和半導體繼電器,要求產品具有高可靠性、高漏極電流額定值和高散熱設計[1]

新產品採用東芝最新一代U-MOS XH工藝,導通電阻極低。此外, L-TOGL™封裝採用銅夾片結構,通過厚銅框連接MOSFET芯片和外部引腳。與東芝現有TO-220SM(W)封裝相比,封裝電阻下降大約70% ,結殼熱阻降低50% [2] 。同時,該封裝採用鷗翼式引線,可降低安裝應力,提高板載貼裝器件焊點可靠性。這些特性可以在大電流時實現設備的低功耗和高散熱。

當應用需要更大工作電流時,可以並聯MOSFET 。在這種並聯連接中,並聯MOSFET的特性差異越小越好。為減小這種偏差,我們支持根據柵極閾值電壓分組發貨[3]

本系列目前有四種L-TOGL™封裝產品,包括東芝現有40V產品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB” 。東芝將提供更多合適的產品,以滿足車載應用對大電流、高功率密度設計和高可靠性不斷增長的需求。

注:
[ 1]ISG :集成式起動發電機
[2]東芝現有產品XK1R9F10QB ( 100V產品)
[3]東芝提供分組出貨,每卷產品柵極閾值電壓偏差範圍為0.4V 。但不允許指定特定組別。請聯繫我們的銷售代表了解更多信息。

應用

  • 汽車設備(逆變器、半導體繼電器、負載開關、電機驅動電路等)

特性

  • 低導通電阻::
    XPQR8308QB R DS(ON) =0.83mΩ(最大值) (V GS =10V)
    XPQ1R00AQB R DS(ON) =1.03mΩ(最大值)( V GS =10V)

  • L-TOGL™高散熱封裝
  • AEC-Q101認證

主要規格

(除非另有說明, T a = 25 °C )

器件型號

極性

絕對最大額定值

漏極-源極

導通電阻

RDS(ON)

(mΩ)

結殼

熱阻

Zth(ch-c)

(°C/W)

封裝

系列

漏極-源極電壓

VDSS

(V)

漏極電流

(DC)

ID

(A)

漏極電流(脈衝)

IDP

(A)

結溫

Tch

(°C)

VGS=6 V

VGS=10 V

Tc=25 °C

最大值

最大值

最大值

XPQR8308QB

N溝道 80

350

1050

175

1.23

0.83

0.2

L-TOGL™ U-MOSⅩ-H

XPQ1R00AQB

100

300

900

175

1.93

1.03

0.2

內部電路

The illustration of internal circuit of lineup expansion of 80 V/100 V automotive N-channel power MOSFETs that use L-TOGL™ package supporting large currents with high heat dissipation.

應用電路示例

The illustration of application circuit example of lineup expansion of 80 V/100 V automotive N-channel power MOSFETs that use L-TOGL™ package supporting large currents with high heat dissipation.

注:
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。

*L-TOGL™是東芝電子元件及存儲裝置株式會社的商標。
*其他公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等信息,僅反映公告發布當日的情況,如有變更,恕不另行通知。

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